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公开(公告)号：CN110275389B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811327993.8
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。
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公开(公告)号：CN115565911A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210777663.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括：半导体处理室，其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器；电压测量装置，其测量对应于第一RF电力的电压，以输出数字信号；以及控制装置，当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。
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公开(公告)号：CN110711738B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201910118974.2
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。
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公开(公告)号：CN109698109B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201811228077.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。
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公开(公告)号：CN110711738A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910118974.2
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110275389A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811327993.8
申请日：2018-11-08
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。
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公开(公告)号：CN119725145A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410450941.9
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32 , C23C16/517 , C23C16/02 , C23C16/52
Abstract: 一种衬底处理方法，包括：将衬底放置在衬底处理装置中；向衬底处理装置施加源功率；以及向衬底处理装置施加偏压功率，其中，向衬底处理装置施加源功率包括：利用具有第一周期的第一脉冲向衬底处理装置提供第一射频(RF)功率；以及利用具有第二周期的第二脉冲向衬底处理装置提供第二RF功率，其中，第一周期比第二周期长。
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公开(公告)号：CN110867361B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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公开(公告)号：CN117497387A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310902429.9
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元，光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统，并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器，多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像，并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。
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