公开(公告)号：CN117497387A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310902429.9

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜璨秀 ,  姜大元 ,  南象基 ,  梁正模 ,  任昶淳 ,  张圣虎 ,  皮宗勋 ,  康宁日 ,  金允载 ,  金一宇 ,  金钟武 ,  朴容范

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元，光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统，并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器，多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像，并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。

公开(公告)号：CN119581357A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411001065.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智兑 ,  李光镐 ,  印成晋 ,  林建煕 ,  金允载 ,  金一宇 ,  南象基 ,  吴世真

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体工艺设备包括：包括腔室的壳体，基板在腔室中被处理；观察口，在壳体的侧壁中；适配器，配置为接收反射光，其中从腔室内部产生的等离子体产生的光在提供于基板的上表面上的结构的表面上的目标位置处被反射；偏振分束器，配置为将从适配器接收的反射光分离成P偏振光和S偏振光；分光镜，配置为分析P偏振光和S偏振光的光谱；以及控制单元，配置为基于分析光谱的结果、基于P偏振光和S偏振光中的每个在一个或更多个波长处随时间的发光强度来监测结构的厚度。