-
-
公开(公告)号：CN110299282B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910116607.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115938901A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210991671.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种基底处理设备。所述基底处理设备包括：第一组内表面至第四组内表面，分别至少部分地限定等离子体形成区域、气体供应区域、气体混合区域和基底处理区域，其中，基底处理设备被构造为在等离子体形成区域内形成等离子体，将处理气体从气体供应区域供应到等离子体形成区域，基于从等离子体形成区域供应的自由基的重组而在气体混合区域中形成蚀刻剂，并且基于基底处理区域内的蚀刻剂来处理基底；喷头，位于气体混合区域与基底处理区域之间，并且被构造为将蚀刻剂供应到基底处理区域；涂层，覆盖喷头的表面，并且包括含磷(P)的镍(Ni)；以及加热器，被构造为控制喷头的表面温度。
-
-
公开(公告)号：CN110711738B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201910118974.2
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。
-
公开(公告)号：CN110711738A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910118974.2
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。
-
公开(公告)号：CN110299282A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910116607.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
