-
公开(公告)号:CN111220904B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN201911092231.9
申请日:2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/309 , G01N21/956 , G02B27/28
Abstract: 提供了测试互连基板的方法和用于执行该方法的装置。在测试互连基板的方法中,可以设置从具有本征光学特性的探头反射的参考光的阻挡条件。从具有多个电路的测试互连基板发射的电场可以使探头的本征光学特性改变为测试光学特性。可以使光照射到具有测试光学特性的探头上。可以根据阻挡条件,阻挡从具有测试光学特性的探头反射的参考光。可以检测可能由于异常电路产生的剩余的反射光。
-
-
-
公开(公告)号:CN111103529B
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN201910588959.4
申请日:2019-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/311
Abstract: 提供了用于测试布线电路的设备和方法。所述设备包括:电路基底,具有在电路基底中的布线和在电路基底的上表面上并连接到布线的垫;电极,位于电路基底的下表面下方;光学传感器,位于电路基底的上表面上方,并且被构造成检测从电路基底的上表面发射的信号;以及光学单元,位于光学传感器上方并且被构造成照射光,其中,光学传感器包括:光学基底,其光学特性通过从电路基底的上表面发射的信号而改变;以及图案化反射层,位于光学基底的面对电路基底的表面上,图案化反射层具有反射入射在光学基底上的光的第一区域和透射入射在光学基底上的光的第二区域。
-
公开(公告)号:CN116364513A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202211629767.1
申请日:2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体控制装置,包括:等离子体电极,设置在等离子体腔室中,并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体;边缘电极,与等离子体电极相邻设置,并且对应于等离子体边缘边界区;以及等离子体控制电路,电连接到边缘电极,该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件,其中,等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。
-
-
公开(公告)号:CN111220904A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201911092231.9
申请日:2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/309 , G01N21/956 , G02B27/28
Abstract: 提供了测试互连基板的方法和用于执行该方法的装置。在测试互连基板的方法中,可以设置从具有本征光学特性的探头反射的参考光的阻挡条件。从具有多个电路的测试互连基板发射的电场可以使探头的本征光学特性改变为测试光学特性。可以使光照射到具有测试光学特性的探头上。可以根据阻挡条件,阻挡从具有测试光学特性的探头反射的参考光。可以检测可能由于异常电路产生的剩余的反射光。
-
公开(公告)号:CN111103529A
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201910588959.4
申请日:2019-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/311
Abstract: 提供了用于测试布线电路的设备和方法。所述设备包括:电路基底,具有在电路基底中的布线和在电路基底的上表面上并连接到布线的垫;电极,位于电路基底的下表面下方;光学传感器,位于电路基底的上表面上方,并且被构造成检测从电路基底的上表面发射的信号;以及光学单元,位于光学传感器上方并且被构造成照射光,其中,光学传感器包括:光学基底,其光学特性通过从电路基底的上表面发射的信号而改变;以及图案化反射层,位于光学基底的面对电路基底的表面上,图案化反射层具有反射入射在光学基底上的光的第一区域和透射入射在光学基底上的光的第二区域。
-
-
-
-
-
-
-