公开(公告)号：CN110275389B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201811327993.8

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 朴珍 ,  南象基 ,  韩奎熙 ,  金进玉 ,  朴镇弘 ,  刘光渭

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

公开(公告)号：CN110275389A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811327993.8

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校 ,  产学协力团

Inventor： 朴珍 ,  南象基 ,  韩奎熙 ,  金进玉 ,  朴镇弘 ,  刘光渭

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。