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公开(公告)号：CN115565911A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210777663.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括：半导体处理室，其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器；电压测量装置，其测量对应于第一RF电力的电压，以输出数字信号；以及控制装置，当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。
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