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公开(公告)号：CN118877541A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411078504.5
申请日：2024-08-07
Applicant: 苏州实验室
IPC: B65G51/04 , B65G51/18 , B65G51/24 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了一种真空互联系统，真空互联系统包括至少两个传递主腔体、至少两个对接腔体、若干传输管道、传输部件、传输小车，各个对接腔体对应地与各个传递主腔体连通，每根传输管道连通相邻两个对接腔体，传输部件安装于传输管道，传输小车设置于传输管道之内，传输部件用于驱动传输小车运动并进入到各个对接腔体。利用传输管道连通各个传递主腔体，通过传输部件驱动传输小车在传输管道中移动，从而使得传输小车上的样品运送相应的腔体之中，整体传输过程方便简捷，且系统结构简单，可靠性强。
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公开(公告)号：CN118639077A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202310976566.7
申请日：2023-08-04
Abstract: 本发明公开了一种高屈服强度Fe‑Mn‑Co‑Cr‑Ti系亚稳高熵合金及其制备方法，属于高熵合金领域。所述高熵合金含有Fe、Mn、Co、Cr、Ti、N元素，金属元素的比例组成为FeaMnbCocCrcTid，其中原子百分数a＝39.5～45，b＝30～40，c＝8～10，d＝0.1～0.5，且a+b+2c+d＝100；所述高熵合金含有FCC基体相和TiN增强相，所述高熵合金通过直接能量沉积技术制备。本发明打印成型样品基体相为FCC相，气雾化过程中形成的增强相TiN弥散分布于基体中，经优化后，所得工件的拉伸屈服强度为505～515MPa，极限抗拉强度为725～755MPa，断后伸长率为40～48％。本发明组分设计合理，制备工艺简单可控，所得产品性能优越，便于工业化应用。
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公开(公告)号：CN117606890A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311494738.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 奥特莱博(苏州)实验室科技有限公司
Abstract: 本发明涉及的一种基于视觉识别的样本自动提取系统及提取方法，包括样本输送模块、样本染色模块、第一视觉模块和第二视觉模块，第一视觉模块，用于对装载有样本的玻片进行拍照，然后识别不同玻片上的特征标记，根据识别的结果来调整样本输送模块的运行轨迹；第二视觉模块，用于对样本染色模块进行拍摄，然后提取关键特征，之后对试剂缸中染色液体或清洗液体的颜色进行识别，并将识别的信息反馈至样本输送模块，样本输送模块用于将装载有样本的玻片转移至试剂缸中以对样本进行染色或清洗。本发明的有益之处在于：能够实现对样本的精准染色，提高样本的提取质量，提高后续的检测精度。
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公开(公告)号：CN117039615A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311159330.0
申请日：2023-09-08
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 一种环形光子晶体微腔光放大面发射激光器，在半导体激光器有源层的一侧制作环形光子晶体结构，该环形光子晶体有若干圈周期性空孔结构，同时在环形光子晶体中心形成微腔结构，并获得微腔模式。微腔模式光场扩展到环形光子晶体区域中，利用该扩展的光场，通过在光子晶体覆盖区域内加载电流，扩展部分的有源层光子产生受激辐射，与微腔区域内的光子同频、同相位、同光场分布，即将微腔模式光场在环形光子晶体中实现光放大，实现大功率单模激光输出。
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公开(公告)号：CN119836222A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510036809.8
申请日：2025-01-09
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于AlScN铁电材料忆阻器件的制备和处理方法，该制备方法将AlScN薄膜通过磁控溅射方法沉积在图案化的Pt电极上，并将图案化后的Cu电极覆盖在AlScN薄膜上制备得到易失性的基于AlScN铁电材料忆阻器件，在氮气氛围下进行热退火处理，处理得到非易失性的基于AlScN铁电材料忆阻器件；经过退火的基于AlScN铁电材料忆阻器件的伏安特性较未退火之前，从易失性转变为非易失性；该制备方法和处理方法流程操作简单，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119800390A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411771414.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 苏州实验室
IPC: C25B9/23 , C25B11/053 , C25B11/031 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于电解水制氢领域，具体涉及一种具有多孔结构的质子交换膜电解槽膜电极及其制备方法和应用。多孔结构膜电极包括：阴极催化层和多孔阳极催化层分别置于质子交换膜两侧；将阳极催化剂、全氟磺酸树脂溶液、第一溶剂和造孔剂溶液混合，得到阳极催化剂浆料；将阴极催化剂、全氟磺酸树脂溶液和第二溶剂混合，得到阴极催化剂浆料；将所述催化剂浆料分别喷涂至基底上，与质子交换膜共同热压转印成型，去除溶剂及造孔剂，得到具有多孔结构的质子交换膜电解槽膜电极。本发明提供的膜电极制备方法简单快捷，安全高效，不会引入污染物及杂质，并在阳极催化层中引入了丰富的多孔结构，显著优化了大电流密度下的水气传质，进而提高了膜电极的工作性能。
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公开(公告)号：CN119562525B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510121333.8
申请日：2025-01-26
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。
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公开(公告)号：CN119726366A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510232903.0
申请日：2025-02-28
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器及其制备方法。衍射型面发射半导体激光器包括有源层以及位于上包层、上波导层、下波导层、下包层中的一层或多层中的互补型光学调制层，互补型光学调制层包括上光学调制层和下光学调制层；下光学调制层具有折射率不同的第一光学调制材料和第二光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；上光学调制层具有折射率不同的第三光学调制材料和第四光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；在垂直于激光出射面的方向上，第二光学调制材料所在区域与第四光学调制材料所在区域对应，第一光学调制材料所在区域与第三光学调制材料所在区域对应。
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公开(公告)号：CN119661227A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510174919.0
申请日：2025-02-18
Applicant: 苏州实验室
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种Al2O3‑RE2O3协同改性耐高温水氧侵蚀碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、RE2O3粉体、Al2O3粉体、炭黑、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将纤维预制体浸入混合浆料中，经干燥、固化、热解，得到含碳的多孔预制体；（3）将含碳的多孔预制体经硅反应熔渗处理，得到所述Al2O3‑RE2O3协同改性耐高温水氧侵蚀碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN119562525A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510121333.8
申请日：2025-01-26
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。
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