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公开(公告)号:CN119836221A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510036808.3
申请日:2025-01-09
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于Ti/AlScN/Cu堆叠结构的铁电存储器制备方法,该方法通过依次沉积钛、铝掺钪氮化物和铜材料,形成Ti/AlScN/Cu多层堆叠结构,利用该结构的优异界面特性和材料的电学性能,提升存储器的开关速度、存储密度和耐用性;该方法具体步骤包括:在衬底上首先沉积一层钛薄膜,然后通过磁控溅射法在钛薄膜上沉积铝掺钪氮化物薄膜,最后沉积铜作为电极材料;本发明通过优化沉积工艺参数和层间厚度,可以实现铁电存储器的高效制备,同时有效提高铁电存储器的开关性能、低功耗特性及长周期稳定性,具有简单易行、可扩展性强等优点,适用于高性能铁电存储器的工业化生产。
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公开(公告)号:CN119733386A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202510253420.9
申请日:2025-03-05
Applicant: 苏州实验室 , 中国乐凯集团有限公司
Abstract: 本发明涉及膜分离技术领域,具体涉及一种耐酸纳滤膜及其制备方法与应用。该耐酸纳滤膜的制备方法包括以下步骤:将水相溶液涂覆在清洗干净的基膜上,除去表面多余的水相溶液后获得第一涂层;然后将油相溶液涂覆在第一涂层上进行界面聚合反应,反应完成后除去表面多余的油相溶液,再进行热处理,即可;所述水相溶液包括多元胺单体和水;所述油相溶液包括磺酰氯单体和混合溶剂;所述混合溶剂由非极性溶剂和极性非质子醚类溶剂组成。采用上述制备方法所得纳滤膜具有优异的耐酸性以及盐截留性能。
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公开(公告)号:CN119653917A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202510162350.6
申请日:2025-02-14
Applicant: 苏州实验室
IPC: H10F77/124 , C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/56 , C23C8/24 , H10F77/42 , H10F71/00 , H10F30/21
Abstract: 本发明提供了一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用,所述紫外吸收增强型半导体薄膜包括衬底和依次层叠设置于所述衬底一侧表面的铝中间层和氮化铝介质层。本发明所述紫外吸收增强型半导体薄膜可以利用界面相移和吸收相移共同作用,使几纳米厚的紫外吸收增强型半导体薄膜上表面反射趋于零从而增加半导体层的光吸收。在保证紫外吸收增强型半导体薄膜的厚度较小的情况下,增强光吸收强度,从而提高光电探测器的响应速度。
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公开(公告)号:CN119596571A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202411683723.6
申请日:2024-11-22
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 一种高性能智能红外光开关及其制备方法,它属于智能材料和光学薄膜领域。本发明要解决现有红外光开关透射调谐比低和调控范围窄的问题。一种高性能智能红外光开关,它自上而下依次为第一热致相变层、红外高透介质层、红外透明基底和第二热致相变层。制备方法:一、清洗基片;二、红外高透介质层制备;三、正面热致相变层制备;四、背面热致相变层制备。本发明用于高性能智能红外光开关及其制备。
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公开(公告)号:CN119317199A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202411804737.9
申请日:2024-12-10
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明提供了一种基于氮化镓‑氧化镓异质结的紫外光突触器件及其制备方法,涉及微电子技术领域,所述基于氮化镓‑氧化镓异质结的紫外光突触器件对紫外光极为敏感,已成功模拟出生物突触的各种特性,其中包括持久光电导效应(PPC)、双脉冲易化(PPF)、短期记忆(STM)向长期记忆(LTM)过渡的可塑性;而且,氮化镓‑氧化镓异质结结构可以延长光传感机制,降低突触事件的能耗还可以增加突触可塑性。此外,该紫外光突触器件具备制备简单、灵敏度高、稳定性好等优点,非常适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN119100132A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411079601.6
申请日:2024-08-07
Applicant: 苏州实验室
IPC: B65G51/04 , H01L21/677 , H01L21/67 , B65G51/18 , B65G51/24
Abstract: 本申请提供了一种真空互联系统,真空互联系统包括中转腔体、若干子腔体、若干传输管道、传输部件、传输小车,每根传输管道连通子腔体和中转腔体,传输部件安装于传输管道,传输小车设置于传输管道之内,传输部件用于驱动传输小车运动并进入到中转腔体和所述子腔体。利用传输管道连通各个中转腔体,通过传输部件驱动传输小车在传输管道中移动,从而使得传输小车上的样品运送相应的腔体之中,整体传输过程方便简捷,且系统结构简单,可靠性强。
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公开(公告)号:CN118621171B
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411111192.3
申请日:2024-08-14
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种无芯结构高熵金属陶瓷的制备方法,其步骤为:以Ti、W、Mo、Ta、Cr和片状石墨粉为原料配制高熵陶瓷混合料,以Ni、Co、Fe、Cr、Ti为原料配制高熵合金混合料,配制成质量百分比为Ti:8.47~9.29wt%,W:24.65~27.16wt%,Mo:12.87~14.17wt%,Cr:9.20~10.10wt%,Ta:24.26~26.73wt%,Ni:1.71~3.52wt%,Co:1.72~3.54wt%,Fe:1.63~3.35wt%,C:8.41~9.20wt%的混合料,具有更高的硬度、耐磨性和强韧性。
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公开(公告)号:CN118919620A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410975593.7
申请日:2024-07-19
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管,由下至上依次包括衬底、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、复合n型层、多量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN欧姆接触层,以及设置在复合n型层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极,其中复合n型层是由石墨烯层、n‑AlGaN层、石墨烯层组成。本发明采用具有极高电子迁移率的二维石墨烯材料包夹n‑AlGaN层的复合层作为n型层,既能够缓解晶格失配,减少材料中的缺陷,提高外延层的晶体质量,又有利于电子迅速横向扩展,从而得以均匀地注入多量子阱有源区,提升紫外发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号:CN118890038A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410975592.2
申请日:2024-07-19
Applicant: 苏州实验室
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种驱动装置,该驱动装置包括工作单元、开关单元和功率调整单元,工作单元包括第一电极和第二电极;第一电极接收第一电信号;开关单元包括开关输入端和开关输出端;开关输入端接收驱动信号;开关单元用于控制驱动信号的传输路径;功率调整单元包括功率输入端和功率输出端;功率输入端与开关输出端电连接,功率输出端与第二电极电连接;功率调整单元用于在接收到驱动信号时,根据驱动信号控制向工作单元提供的驱动电流。本发明的技术方案,可以降低工作单元接收驱动信号的传输通路中的功率损耗,提高电能利用率。
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