公开(公告)号：CN119836222A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510036809.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 韩聪 ,  邵卫晶 ,  王新朋 ,  童祎

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于AlScN铁电材料忆阻器件的制备和处理方法，该制备方法将AlScN薄膜通过磁控溅射方法沉积在图案化的Pt电极上，并将图案化后的Cu电极覆盖在AlScN薄膜上制备得到易失性的基于AlScN铁电材料忆阻器件，在氮气氛围下进行热退火处理，处理得到非易失性的基于AlScN铁电材料忆阻器件；经过退火的基于AlScN铁电材料忆阻器件的伏安特性较未退火之前，从易失性转变为非易失性；该制备方法和处理方法流程操作简单，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119962195A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510036806.4

申请日：2025-01-09

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 夏素缦 ,  戴烨斌 ,  张浩 ,  童祎

IPC: G06F30/20 ,  G16C60/00

Abstract: 本发明公开了一种针对AlScN铁电特性的仿真模拟方法，包括以下步骤：S1、通过实验确定AlScN铁电材料的饱和极化值Ps，并确定仿真拟合参数的值；S2、对AlScN铁电材料进行算法建模，并将AlScN铁电材料划分为N个大小均匀的小块；S3、对每个小块进行初始化；S4、在仿真过程中对AlScN铁电材料施加新的电压E；S5、判断每个小块极化方向是否发生翻转，并更新极化方向发生翻转的小块的各项参数；S6、确定所有小块的极化参数后，计算所有小块的平均极化强度作为材料的整体极化强度；S7、重复执行步骤S4至步骤S6，直到达到预定的仿真时间，并输出现有的与极化相关的极化参数，得到仿真模拟结果。

公开(公告)号：CN119836221A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510036808.3

申请日：2025-01-09

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 秦海鸣 ,  邵卫晶 ,  王新朋 ,  童祎

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Ti/AlScN/Cu堆叠结构的铁电存储器制备方法，该方法通过依次沉积钛、铝掺钪氮化物和铜材料，形成Ti/AlScN/Cu多层堆叠结构，利用该结构的优异界面特性和材料的电学性能，提升存储器的开关速度、存储密度和耐用性；该方法具体步骤包括：在衬底上首先沉积一层钛薄膜，然后通过磁控溅射法在钛薄膜上沉积铝掺钪氮化物薄膜，最后沉积铜作为电极材料；本发明通过优化沉积工艺参数和层间厚度，可以实现铁电存储器的高效制备，同时有效提高铁电存储器的开关性能、低功耗特性及长周期稳定性，具有简单易行、可扩展性强等优点，适用于高性能铁电存储器的工业化生产。