公开(公告)号：CN118890038A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410975592.2

申请日：2024-07-19

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 赵鲁昱 ,  肖安康 ,  顾泓 ,  杨晓琴 ,  杨赢 ,  朱鹏

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种驱动装置，该驱动装置包括工作单元、开关单元和功率调整单元，工作单元包括第一电极和第二电极；第一电极接收第一电信号；开关单元包括开关输入端和开关输出端；开关输入端接收驱动信号；开关单元用于控制驱动信号的传输路径；功率调整单元包括功率输入端和功率输出端；功率输入端与开关输出端电连接，功率输出端与第二电极电连接；功率调整单元用于在接收到驱动信号时，根据驱动信号控制向工作单元提供的驱动电流。本发明的技术方案，可以降低工作单元接收驱动信号的传输通路中的功率损耗，提高电能利用率。

公开(公告)号：CN119562525B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510121333.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 杨亚霖 ,  杨赢 ,  顾泓 ,  徐呈甲 ,  朱鹏 ,  杨晓琴 ,  肖安康

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。

公开(公告)号：CN119562525A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510121333.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 杨亚霖 ,  杨赢 ,  顾泓 ,  徐呈甲 ,  朱鹏 ,  杨晓琴 ,  肖安康

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。