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公开(公告)号：CN117039615A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311159330.0
申请日：2023-09-08
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 一种环形光子晶体微腔光放大面发射激光器，在半导体激光器有源层的一侧制作环形光子晶体结构，该环形光子晶体有若干圈周期性空孔结构，同时在环形光子晶体中心形成微腔结构，并获得微腔模式。微腔模式光场扩展到环形光子晶体区域中，利用该扩展的光场，通过在光子晶体覆盖区域内加载电流，扩展部分的有源层光子产生受激辐射，与微腔区域内的光子同频、同相位、同光场分布，即将微腔模式光场在环形光子晶体中实现光放大，实现大功率单模激光输出。
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公开(公告)号：CN119726366A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510232903.0
申请日：2025-02-28
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器及其制备方法。衍射型面发射半导体激光器包括有源层以及位于上包层、上波导层、下波导层、下包层中的一层或多层中的互补型光学调制层，互补型光学调制层包括上光学调制层和下光学调制层；下光学调制层具有折射率不同的第一光学调制材料和第二光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；上光学调制层具有折射率不同的第三光学调制材料和第四光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；在垂直于激光出射面的方向上，第二光学调制材料所在区域与第四光学调制材料所在区域对应，第一光学调制材料所在区域与第三光学调制材料所在区域对应。
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公开(公告)号：CN118970623A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411435526.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器。该衍射型面发射半导体激光器包括上电极、上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，有源层发射光；有源层的至少一侧设置有半径为R的光学调制结构，光学调制结构的中心区域形成有半径为r的微腔；其中，光学调制结构包括第一环形光栅结构或第一环形光子晶体结构；并且，r/R的取值范围为4%～44%。上述衍射型面发射半导体激光器，通过控制微腔与光学调制结构的大小满足上述关系，可以提高基模与高阶模的阈值增益差，从而有利于发散角小、激光光束质量因子小的单模激光优先激射。
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