公开(公告)号：CN119562525B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510121333.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 杨亚霖 ,  杨赢 ,  顾泓 ,  徐呈甲 ,  朱鹏 ,  杨晓琴 ,  肖安康

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。

公开(公告)号：CN119562525A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510121333.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 杨亚霖 ,  杨赢 ,  顾泓 ,  徐呈甲 ,  朱鹏 ,  杨晓琴 ,  肖安康

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻阵列及其制备方法，忆阻阵列包括：衬底、氧化物功能层、电极。衬底为第一导电类型；衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的掺杂浓度大于第二区域的掺杂浓度；第一区域包括多个子区，子区沿第一方向延伸，且多个子区沿第二方向间隔排列；第一方向与第二方向相互垂直；氧化物功能层为第二导电类型，氧化物功能层位于衬底的一侧，氧化物功能层在衬底的垂直投影位于子区内；电极位于氧化物功能层远离衬底的一侧；电极覆盖部分氧化物功能层；电极包括多个电极条，电极条沿第二方向延伸，且多个电极条沿第一方向间隔排列。本发明结构简单，制备方法与CMOS工艺兼容，集成度高，且避免了忆阻阵列工作过程中忆阻单元间的串扰问题。