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发明公开
一种基于AlScN铁电材料忆阻器件的制备和处理方法审中-实审

公开(公告)号：CN119836222A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510036809.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 韩聪 , 邵卫晶 , 王新朋 , 童祎

IPC: H10N70/00 , H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于AlScN铁电材料忆阻器件的制备和处理方法，该制备方法将AlScN薄膜通过磁控溅射方法沉积在图案化的Pt电极上，并将图案化后的Cu电极覆盖在AlScN薄膜上制备得到易失性的基于AlScN铁电材料忆阻器件，在氮气氛围下进行热退火处理，处理得到非易失性的基于AlScN铁电材料忆阻器件；经过退火的基于AlScN铁电材料忆阻器件的伏安特性较未退火之前，从易失性转变为非易失性；该制备方法和处理方法流程操作简单，具有良好的应用前景。

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