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发明公开
衍射型面发射半导体激光器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119726366A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510232903.0

申请日：2025-02-28

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 郁骁琦 , 熊康林 , 郑煜臻 , 王军飞 , 杨辉

IPC: H01S5/06 , H01S5/026 , H01S5/18

Abstract: 本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器及其制备方法。衍射型面发射半导体激光器包括有源层以及位于上包层、上波导层、下波导层、下包层中的一层或多层中的互补型光学调制层，互补型光学调制层包括上光学调制层和下光学调制层；下光学调制层具有折射率不同的第一光学调制材料和第二光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；上光学调制层具有折射率不同的第三光学调制材料和第四光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；在垂直于激光出射面的方向上，第二光学调制材料所在区域与第四光学调制材料所在区域对应，第一光学调制材料所在区域与第三光学调制材料所在区域对应。

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