公开(公告)号：CN210200738U

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201921418921.4

申请日：2019-08-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 本实用新型涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209658160U

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201920647522.9

申请日：2019-05-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同 ,  史波

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种功率模块，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209526080U

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201920641003.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块。其中，该智能功率模块包括：第一树脂层和第二树脂层，分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部，用于为上述芯片提供电性保护，上述芯片至少包括：功率芯片和驱动芯片；上述功率芯片，设置在上述第一树脂层内，上述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体；上述驱动芯片，设置在上述第二树脂层内，与上述功率芯片连接，用于对上述功率芯片进行驱动控制。本实用新型解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足等的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209434191U

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201822014521.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  廖勇波 ,  敖利波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽型功率器件，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN216528873U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202123277147.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  葛孝昊 ,  谢梓翔 ,  曾丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请涉及电路基板及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。

公开(公告)号：CN213212170U

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202022753217.3

申请日：2020-11-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  葛孝昊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型涉及半导体领域，公开一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构，包括：外延层；形成于所述外延层一侧的P+耐压区；位于所述P+耐压区两侧的第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层；形成于所述P+耐压区背离所述外延层一侧的多晶硅连接引线层，所述多晶硅连接引线层用于将所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层连接；形成于所述多晶硅连接引线层背离所述外延层一侧的二氧化硅层，在所述二氧化硅层设有连接孔，以使所述多晶硅连接引线层露出；形成于所述二氧化硅层背离所述外延层一侧的金属层，以实现所述金属层与所述多晶硅连接引线层连接。用于解决由于元胞尺寸缩小、电流密度增大导致的抗短路性能变差的问题。

公开(公告)号：CN212517215U

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202021074035.7

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211828749U

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202020023540.2

申请日：2020-01-06

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曹俊 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  江伟

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211428154U

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202020380049.5

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊 ,  江伟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  B29C45/14 ,  B29C45/26 ,  B29L31/34

Abstract: 本实用新型涉及一种针脚、功率器件和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211350654U

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202020371789.2

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利