一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法

    公开(公告)号:CN112951103B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202110115072.0

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法,该方法包括:在阵列基板的受光面涂覆光刻胶;调整掩膜版,使掩膜版的透光区对应至每个显示像素;维持掩膜版与阵列基板相对位置不变,采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光;其中,每组光源对应一组相同颜色的子像素,每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定;使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解;烘干阵列基板,并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡,提升显示效果。

    一种彩色电润湿显示单元缺陷识别方法及其装置

    公开(公告)号:CN109658403B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN201811547320.3

    申请日:2018-12-18

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种彩色电润湿显示单元缺陷识别方法及其装置,首先对显微镜采集的图像进行直方图均衡化和几何校正完成电润湿显示单元图像的预处理;接着对预处理后的图像采用改进的K均值聚类算法进行分割并动态判断、记录其三基色的颜色特征;然后对分割后得到的二值图像,提取其几何特征作为分类主特征,提取其纹理特征作为分类辅助校正特征,采用学习向量量化神经网络对所提取的三类特征进行训练并分类;最后根据分类结果将有缺陷的电润湿显示单元用矩形框框出,并通过连通域算法确定每个缺陷单元的重心坐标。本发明可检出并分类电润湿显示器有缺陷的显示单元,同时获取其缺陷层、缺陷类别、坐标等信息。

    一种基于双向对抗网络的图像超分辨率重建方法

    公开(公告)号:CN111080522B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201911282780.2

    申请日:2019-12-13

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于双向对抗网络的图像超分辨率重建方法,首先对输入的图像数据进行数据增强;然后将数据增强后的图像数据进行预处理;接着搭建下采样网络与重建网络;然后训练所述下采样网络与重建网络,基于对抗损失及像素损失反向优化下采样网络及重建网络;最后将待测试的低分辨率图片输入到优化后的重建网络中,得到高分辨率输出图像。本发明可以处理现实生活由于多种噪声及运动干扰产生的低分辨率图像,恢复出细节清晰的高分辨率图像。

    一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件

    公开(公告)号:CN110690246B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201910982274.8

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件,其特征在于,包括从上到下依次设置的上驱动电极基板,上驱动电极、纳米LED晶粒片、下驱动电极和下驱动电极基板;还设置有交流驱动控制模块,所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极;所述纳米LED晶粒片由若干个纳米LED晶粒有序排列而成,保证放置于电极基板间时,每个纳米LED晶粒的发光层与电极基板平行,与电场方向垂直;所述上驱动电极和下驱动电极至少有一个与纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离,在交变驱动信号下,通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用非直接电学接触方法实现有序nLED发光显示,可免去微米和纳米级LED巨量转移工艺,有效地降低工艺成本。

    LED芯片无损阵列检测装置及方法

    公开(公告)号:CN113471091A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110532053.8

    申请日:2021-05-17

    Abstract: 本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法,带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统;所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极,以及用于分隔行、列电极的绝缘层;所述行电极与微电极阵列相连,所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列;所述第二基板用于承载待测LED芯片;所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列;所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片,可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集,避免了传统LED芯片检测过程中,探针对LED芯片的损害,有利于提高检测芯片使用可靠性,延长LED芯片实际使用寿命。

    一种集成封装微显示芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113299678A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110398179.0

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明涉及一种集成封装微显示芯片,其特征在于,包括衬底,蓝光Micro‑LED子像素、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素;所述Micro‑LED子像素的n电极与Micro‑OLED或Micro‑QLED的其中一个电极相连,Micro‑LED子像素的p电极、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极、绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极分别引出,形成四个集成封装微显示芯片的引出电极。本发明将蓝光Micro‑LED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素以及绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素相结合,并通过晶圆级集成封装成一个较大尺寸的具有三基色可控发光的微显示像素芯片。

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