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公开(公告)号：CN117896165A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410122167.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种电光转换加密方法，包括：遍历待编码的单位数据，并生成与各个单位数据对应的单位驱动信号；采用各个单位驱动信号驱动分别点亮高电抗发光器件，获得各个单位驱动信号对应的单位光波信号；将各个单位光波信号与单位数据进行对应，获得编码关系；将待加密数据根据单位数据与单位驱动信号对应关系而转化为由至少一个单位驱动信号构成的驱动信号序列，并驱动点亮高电抗发光器件，以使高电抗发光器件发出时序光波信号。本发明提供了一种安全性高、加解密方便的加密方式。
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公开(公告)号：CN113740583A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111175256.2
申请日：2021-10-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于发光二极管的非接触式交流电压互感器，包括电感应模块、光强度探测处理系统和绝缘支撑模块；所述光电感应模块通过绝缘支撑模块与待测高压线连接；所述光信号接收处理系统接收电感应模块的发光强度，并获探测的电压值。本发明有效提高测量量程和响应频带宽、且稳定性高。
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公开(公告)号：CN113471091A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110532053.8
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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公开(公告)号：CN112782901A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110114259.9
申请日：2021-01-28
IPC: G02F1/167 , G02F1/1675 , G02F1/1685 , G06F3/041 , G06F3/047
Abstract: 本发明涉及一种自供电非易失性显示装置。包括：第一绝缘层，置于第一绝缘层上的电极层，第二透明绝缘层，以及书写工具和擦除工具，在电极层和第二绝缘层之间填充的具有非易失性双稳态特性的显示介质，在电极层和第二透明绝缘层之间填充有隔离层。利用书写工具在第二透明绝缘层表面绘制图案，从而在书写工具划过的地方形成图形化分布的静电，形成局部电场驱动具有非易失性双稳态特性的显示介质，最终显示出该图案；利用擦除工具在第二透明绝缘层表面擦涂，消除所述局部电场，从而擦除已经显示的图案。本发明可应用于画图板、展示牌、广告牌、黑板等原型以传统纸张、油墨、碳粉、粉笔等为材料的显示领域，具有可重复使用与节能环保优点。
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公开(公告)号：CN113721061A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111173437.1
申请日：2021-10-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出基于电致发光器件的非接触式无线传输交流电压互感器，测量时，把光电感应模块置于高压输电线路旁，使输电线路工作状态激发的电场在光电感应模块内形成电压并以该电压形成检测光信号；所述互感器的光信号整合模块把检测光信号调整为互感器的光信号接收处理系统可使用的采样光信号，光信号接收处理系统把光信号整合模块传来的采样光信号转换为测量电信号；本发明测量量程大、响应频带宽，并且体积小于传统电压互感器，绝缘结构简单，并且不含有铁芯以及无需有源电路进行驱动，成本低廉，安全便捷，并且可以借助大气信道将待测的高压输电线的峰值、频率、波形传输到远端的电表以及监控设备当中，易于计费、监控及巡检，用途广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676284B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910984750.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。本发明中μLED晶粒与驱动电极无电学接触，因此可以简化μLED晶粒的结构，并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列，可避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，有望增强μLED的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN110690329A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910984757.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的像素单元，每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极；其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极，外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒，绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒；所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺，有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN106447774B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610823062.1
申请日：2016-09-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于仿射和非线性点变换的地图映射方法：通过采集校园三维地图中标志点的经纬度数据以及对应的三维地图图片中的位置坐标，计算出经过投影绘制后，校园地图的真实经纬到三维地图图片位置坐标的仿射变换关系；采集大量特征点的GPS真实经纬度，通过该仿射变换关系，换算出其对应的三维地图图片中的位置坐标点集A，并在三维地图图片中标定出这些特征点所对应的真实图片位置坐标点集B，得到训练样本点集{A，B}，通过基于B‑样条的自由形变模型的非线性点配准技术实现坐标误差的纠正；通过法向投影技术，使得映射后的点都被投影显示在标定好的道路中心线上。本发明达到很好的地图导航的效果。
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公开(公告)号：CN106447774A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610823062.1
申请日：2016-09-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于仿射和非线性点变换的地图映射方法：通过采集校园三维地图中标志点的经纬度数据以及对应的三维地图图片中的位置坐标，计算出经过投影绘制后，校园地图的真实经纬到三维地图图片位置坐标的仿射变换关系；采集大量特征点的GPS真实经纬度，通过该仿射变换关系，换算出其对应的三维地图图片中的位置坐标点集A，并在三维地图图片中标定出这些特征点所对应的真实图片位置坐标点集B，得到训练样本点集{A，B}，通过基于B-样条的自由形变模型的非线性点配准技术实现坐标误差的纠正；通过法向投影技术，使得映射后的点都被投影显示在标定好的道路中心线上。本发明达到很好的地图导航的效果。
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公开(公告)号：CN111834503B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010535548.1
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管，包括：衬底；一个或多个过渡层，阵列设置于衬底上，用于定向纳米半导体结构的生长；以及一个或多个纳米半导体结构，设置于对应的过渡层上；纳米半导体结构包括依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三半导体、发光体和第四半导体，过渡层邻接第一半导体或第四半导体，从第一半导体、第二半导体和第四半导体分别引出第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极；在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个设定功率可变输入信号，同时在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个固定电压，以使纳米三极发光管发光。该纳米三极发光管有利于降低驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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