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公开(公告)号：CN119730646A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411513877.0
申请日：2024-10-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一导电层并光刻，形成第一载流子驱动电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极；在第一载流子驱动电极上镀膜第一绝缘层并光刻，形成第一无注入绝缘介质层；在第一无注入绝缘介质层上制备发光功能层；在发光功能层镀膜第二绝缘层，对第二绝缘层进行光刻，形成第二无注入绝缘介质层；在第二无注入绝缘介质层上镀膜第二导电层并光刻，形成第二载流子驱动电极；在第一载流子驱动电极和第一栅极调控电极上制备第一传输层，在第二载流子驱动电极和第二栅极调控电极上制备第二传输层。本发明有效改善无注入发光器件的发光效率和发光亮度，且能够灵活地对二者进行调控。
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公开(公告)号：CN119521978A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411405243.3
申请日：2024-10-10
Applicant: 福州大学
IPC: H10K59/35 , G09G3/3208 , G09G3/20 , H10K59/12 , H10K59/121 , H10K59/131 , H10D86/60
Abstract: 本发明公开了一种共用栅压的全彩栅极调控发光器件，包括：多个通过行列排布的发光单元，发光单元包括阳极、发光功能层、阴极，且发光单元分为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元；发光单元的阳极和/或阴极侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层上设置栅极调控电极，红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元对应的栅极绝缘层厚度依次递减；发光单元的阳极与薄膜晶体管开关的漏极相连接，薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接，放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接，放大场效应晶体管的源极连接至第一调控电压源。本发明可以简化栅极调控结构，且保证各个发光单元的栅压调控具有独立性。
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公开(公告)号：CN118398704A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410517415.X
申请日：2024-04-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/153 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，涉及光电显示领域，一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，其特征在于，所述同质集成结构包括：衬底；半导体缓冲外延层；设置于所述半导体缓冲外延层上的第一金属接触层，第二金属接触层；其中，所述第一金属接触层与所述‑第二金属接触层之间设置有用于接收待探测光的开口区；所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层构成MSM结构单元；设置于所述半导体缓冲外延层上的LED‑PN结单元；所述LED‑PN结单元包括下层半导体、上层半导体；且所述下层半导体的台阶面上设置有第三金属接触层，所述第二金属接触层与所述第三金属接触层之间设置有第一金属层电连接；所述第一金属层与所述下层半导体之间设置有第一绝缘层；设置于所述LED‑PN结单元的所述上层半导体上的所述第四接触层；其中，所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层、所述第一金属层、所述LED‑PN结单元依次相连用于与外界驱动根据所述开口区的受光情况而形成电通路。
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公开(公告)号：CN115651638B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117422953A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311482234.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于工业大模型预训练的自监督方法，包括：对样本原图进行颜色的数据增强处理，获得各个样本原图对应的第一子图和第二子图；将各个第一子图进行旋转生成第三子图；生成第一子图对应的特定标记；提取第一子图训练集和第二子图训练集的表征输入第一训练模型网络以使第一训练模型网络拉近表征；将第一子图的表征和特定标记进行融合获得特定表征；将特定表征进行重建，获得第一子图对应的第一旋转图；对第三子图训练集和第一旋转图提取表征输入第二训练模型网络以使第二训练模型网络拉近表征；对两个模型进行量纲同统一并分配预设的权重系数，获得工业大模型。本发明可以减少训练复杂度，使训练获得的工业大模型识别更加精准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112904621B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN117215084A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311393398.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
IPC: G02B30/28 , G02F1/1343 , G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种基于菲涅尔液晶透镜的2D/3D可切换显示设备，包括：第一基板；第一基板上设置有多个第一电极组，各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极，各个第一环形电极呈同心环排布；第一环形电极的厚度由外侧向内侧逐渐增加，且第一环形电极的两侧分别连接至不同的驱动电压源，驱动电压源用于在第一环形电极的两侧施加不同的电位以使第一环形电极的各个位置产生渐变的第一电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明可以提高理想菲涅尔透镜形貌的效率，增加可利用的光效，进而提示显示设备的显示效果。
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公开(公告)号：CN117148644A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311123244.4
申请日：2023-09-01
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1343
Abstract: 本发明公开了一种液晶透镜及其制备工艺，其中，液晶透镜包括：第一基板；第一基板上设置有第一电极和第二电极；第一电极和第二电极上覆盖设置有高阻导电层；第一电极和第二电极之间的高阻导电层上设置有若干个导电跨越带；设置于第一基板对向的第二基板，第二基板上设置有公共面电极；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子；其中，液晶透镜被配置为：响应于透镜的构建需求，向第一电极施加第一电位，向第二电极施加第二电位，向公共面电极施加第三电位，液晶层内的液晶分子受电场作用形成透镜。本发明在保证液晶透镜良好的光学特性的同时，简化液晶透镜制备流程，提高液晶透镜适用范围。
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公开(公告)号：CN114898716B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210512040.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明提出一种基于电压调制与时间调制协同的高灰阶电润湿显示器件的方法，首先将输入的图像数据量化为n位四进制，并将行显示周期T划分为n个子周期，同时对各个子周期加权，在同一个子周期内，赋予显示单元四个不同的电压幅值，每个子周期电压幅值不同，且成一定倍数关系，在行显示周期T的显示时间内，依次对各个子周期逐位显示，组成4n的亮度灰度。本发明能够通过幅度调制对驱动电路和显示器件的响应速度要求低的优点，弥补电润湿采用PWM调制因为显示器件不能响应过窄的脉冲而下降的显示质量，同时通过PWM调制驱动电路易实现的优点，弥补电润湿采用幅度调制电路复杂的缺点，实现电润湿电子纸更高灰阶的显示效果。
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公开(公告)号：CN116666361A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310693864.5
申请日：2023-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R31/311
Abstract: 本发明提出应用于晶圆级LED芯片无接触电检测的复合介质层，所述的电极板是一个导电平面基板，其表面设置有导电微型尖端阵列，导电微型尖端的表面进一步设置有纳米复合介质层。在导电平面基本上设置微型尖端阵列可以有效集中表面电场，降低设备工作时所需的电压。在微型尖端表面设置纳米复合介质层可以根据外部电场变化产生电荷积累进一步稳定空间电场，可无接触驱动LED芯片，从而实现低压、稳定的晶圆级LED检测。
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