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公开(公告)号：CN112904621B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN112951103B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112904620A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110107547.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明提出一种双畴光配向LCD光路系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的两组双畴配向光源；掩膜版模组，包括:带有透光区和非透光区的掩膜版；待配向基板，包括：两组不同配向角的配向区；所述配向角与双畴配向光源的入射方向相对应；每个所述透光区对应待配向基板的一个显示像素，每个所述显示像素包括两个不同配向角的配向区；所述掩膜版设置于待配向基板与光源模组之间，且掩膜版的透光区的中心位置在待配向基板上的投影位于同一个显示像素中两个配向区的中间。旨在解决在双畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN112782944A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110106865.6
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN112951103A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112947009A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110106838.9
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112947009B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110106838.9
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112904622B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110108678.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向方法。该方法包括：将待配向基板装载在装载平台上；其中，待配向基板包括三组不同配向角的配向区，待配向基板的每个显示像素包括三个不同配向角的配向区；调整掩膜版，以使掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；维持掩膜版与待配向基板相对位置不变，打开光源模组并产生入射方向不同的三组三畴配向光源，使三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区投射到不同组别的配向区。本发明不仅解决了三畴光配向过程中对位问题，保证了配向的精准度，也可以提高配向效率。
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公开(公告)号：CN112904621A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN112817213A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106957.4
申请日：2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统，包括显影机、刻蚀机、光源模组，还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板；光源模组包括四组光源，每组光源对应显示像素内的一个子像素结构，掩膜版包括多个透光区，每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心；当对光刻胶曝光时，四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光，各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定；显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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