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公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN115332238B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
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公开(公告)号：CN118507603A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410573912.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00 , H01L23/544 , H01L33/62 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种分辨率可调且无需对位的高密度Micro‑LED显示键合方法，涉及光电显示领域，包括：首先，在CMOS驱动背板的每个驱动像素上制备包含有第一金属凸点的第一金属阵列，在Micro‑LED外延片上制备包含第二金属凸点的第二金属阵列；然后，基于无对位式，将制备有第二金属阵列的Micro‑LED外延片与制备有第一金属阵列的CMOS驱动背板进行键合；然后，键合后将Micro‑LED外延片的衬底剥离，露出Micro‑LED显示层；最后，根据所需分辨率，在剥离后的Micro‑LED显示层上进行光刻刻蚀，并划分出Micro‑LED显示像素单元；Micro‑LED显示像素单元与CMOS驱动背板对应区域的M个驱动单元相对应，并形成相应分辨率的Micro‑LED显示阵列。本发明所需成本低廉，大大的降低了金属凸点间键合对位难度，提高Micro‑LED显示器的画质和生产效率。
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公开(公告)号：CN117348299A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311351929.4
申请日：2023-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02B30/28 , G02B30/29
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶透镜的二维三维切换显示屏，包括：第一基板；第一基板上设置有多个第一电极组，各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极，各个第一环形电极呈同心环排布；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上与第一基板上的各个第一环形电极相对应区域设置有第二环形电极组；第二环形电极组包括多个第二环形电极且各个第二环形电极组用于施加不同偏置电压以使第二环形电极组与第一环形电极之间形成渐变电位差；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明在提高显示效果的同时无需增加过多的驱动电压源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117234006A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311243426.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种防引线区域畸变的液晶透镜，包括：第一基板；第一基板包括引出电极层、绝缘层以及环形电极层；环形电极层设置有若干个环形电极；绝缘层设置于引出电极层与环形电极层之间；引出电极层通过搭桥与环形电极层电连接，引出电极层设置有与各个环形电极进行电连接的引出电极，引出电极用于为环形电极提供相对应的电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个引出电极的位置相对应的高阻引线；各个高阻引线的内端部与公共面电极进行电连接，高阻引线的外端部连接于第一供电端上；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明避免引线区域畸变，提高液晶透镜成像的效果。
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公开(公告)号：CN117192846A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311313731.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种液晶透镜及其控制方法，其中，液晶透镜包括：第一基板；第一基板上设置有第一电极组，第一电极组包括M个电极区域，每个电极区包括N个第一电极，每一电极区域中相同次序的第一电极连接在同一个第一驱动电压源；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个电极区域位置相对应的引线组，每个引线组包括N+1个导电电极，相邻的导电电阻之间连接有高阻引线，引线组两端的导电电极分别与第二驱动电压源和公共面电极进行电连接；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明可以在补偿液晶透镜不均区域的成像效果的基础上，减少驱动电压源的设置。
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公开(公告)号：CN111834420B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN115295541A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210163320.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , G09F9/33 , G09F9/302
Abstract: 本发明涉及一种相反极性并联的LED叠层组成的发光单元及显示器件，所述发光单元包括多层无机发光二极管LED层和具有多组电极的驱动基板，所述多层LED层在驱动基板垂直方向上堆叠放置且与驱动基板上的多组电极电性连接；所述多层LED层中包括至少两层相反极性并联的LED层，并通过驱动基板上的一组电极控制相反极性并联LED层发出至少两种不同颜色的光；所述显示器件包括阵列设置的多个像素，每个像素对应设有一个所述发光单元，所有发光单元的驱动基板为单独设置，或组合为若干个区域驱动基板，或组合为一个整体驱动基板。该发光单元及显示器件结构简单，工作效率高，像素密度高，工作寿命长。
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公开(公告)号：CN114411124A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210104274.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
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