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公开(公告)号：CN102881333B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210359883.6
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: G11C19/28
Abstract: 本发明实施例公开了移位寄存器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省移位寄存器电路所占面积的同时，实现了移位寄存器电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN105742491A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610202876.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/00 , G11C13/00 , G11C13/0009 , H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极?阻变层?电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也着重要作用。
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公开(公告)号：CN103606625B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310618361.8
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种阻变存储器，其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极，其特征是，所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构；所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上；所述四层结构自下而上氧浓度依次提高，厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构，可实现氧空位通道在各层中的完全通断，从而精确控制阻值，实现高一致性的2-bit存储。另外，通过合理调控4层结构中每层的阻值，即可进行低电流操作，进而实现低功耗。
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公开(公告)号：CN103117359B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310049320.1
申请日：2013-02-07
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/56 , H01L27/1112 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1625 , H01L45/1666
Abstract: 本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035838B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210555309.8
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN102593142B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210068321.6
申请日：2012-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用透明的选择管作为驱动管，选择管的双向导通的特性实现了电路对存储单元的重复擦除与写入，并解决了串扰问题。选择管作为存储阵列的驱动管，解决了晶体管占用面积大、二极管单极性操作的限制，可以适应器件按比例缩小的进程，而且，选择管的制备工艺简单，节省成本。本发明的材料均采用柔性透明的材料，柔性透明存储阵列把“柔性透明电子系统”、“驱动管”以及“阻变存储器”三者结合在一起，它除了具有阻变存储器本身的特性外，还具备柔性、透明等优点，尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题，制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。
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公开(公告)号：CN102638030B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210119083.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。
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公开(公告)号：CN103887431A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410047253.4
申请日：2014-02-11
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/14 , G11C11/5664 , G11C13/0016 , G11C13/0097 , G11C2213/15 , G11C2213/52 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L51/0035 , H01L51/0098 , H01L51/0591 , H01L27/2463 , H01L51/0008 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/102
Abstract: 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
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公开(公告)号：CN102663497B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210097673.4
申请日：2012-04-05
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压相应的一种自路由单元电路。本发明的电路能够自动地选择向后神经元传递信号，并且电路简单、结构小以及便于大规模集成；而且为非挥发电路，一旦设定，在条件不变的情况下，不需重新设定。
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