公开(公告)号：CN104409627A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410597309.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  李强 ,  刘业帆 ,  张镇星 ,  谭婧 ,  黎明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种小尺寸超薄阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器与现有阻变存储器结构的主要区别在于将阻变薄膜局限在隔离层的凹槽中，使阻变薄膜层自然形成V型形状，大大缩小实际器件尺寸和厚度；同时使顶电极在阻变薄膜上自然形成尖峰状结构，以使电场集中，阻变行为可控在尖峰处发生，从而有效提高器件一致性。

公开(公告)号：CN103606625A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310618361.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  张镇星 ,  李强 ,  黎明

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种阻变存储器，其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极，其特征是，所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构；所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上；所述四层结构自下而上氧浓度依次提高，厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构，可实现氧空位通道在各层中的完全通断，从而精确控制阻值，实现高一致性的2-bit存储。另外，通过合理调控4层结构中每层的阻值，即可进行低电流操作，进而实现低功耗。

公开(公告)号：CN103606625B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310618361.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  张镇星 ,  李强 ,  黎明

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种阻变存储器，其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极，其特征是，所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构；所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上；所述四层结构自下而上氧浓度依次提高，厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构，可实现氧空位通道在各层中的完全通断，从而精确控制阻值，实现高一致性的2-bit存储。另外，通过合理调控4层结构中每层的阻值，即可进行低电流操作，进而实现低功耗。