公开(公告)号：CN109148511A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810298848.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 房贤圣 ,  金娥珑 ,  朴正善 ,  李德重 ,  郑知泳

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3216 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5225 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/3276

Abstract: 本申请涉及显示装置，该显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极，设置成在衬底上彼此邻近；像素限定层，包括对应于第一像素电极的第一开口、对应于第二像素电极的第二开口以及布置成与第一开口邻近的第一凸部；第一中间层，设置在第一像素电极上以与第一开口对应，并且包括第一发射层；以及第一导电无机层，布置在第一中间层上以对应于第一开口。第一导电无机层的至少一个端部延伸超过第一中间层的端部，并且在第一开口和第二开口之间设置于像素限定层上。

公开(公告)号：CN108807186A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810619732.7

申请日：2018-06-15

Applicant: 中国科学院理化技术研究所

Inventor： 李倩 ,  刘静

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0508 ,  H01L2251/30

Abstract: 本发明实施例提供一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管，该方法包括在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接液态金属源极和液态金属漏极的半导体层；在半导体层上制作介电层，并在介电层上制作液态金属栅极。本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法及柔性晶体管采用柔性基底以及在柔性基底的基础上利用液态金属制作液态金属源极、液态金属漏极和液态金属栅极，从而得到具有柔性的晶体管，用于具有可弯曲性的电子产品的大规模集成电路。

公开(公告)号：CN108611591A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810394106.2

申请日：2013-11-06

Applicant: OTI领英有限公司

Inventor： 迈克尔·赫兰德 ,  邱杰克 ,  王志斌 ,  卢征鸿

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/24 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  C09D5/24

CPC classification number: H01L31/02366 ,  C09D5/24 ,  C23C14/024 ,  C23C14/20 ,  C23C14/24 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H01L2031/0344 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供用于在表面上沉积导电覆层的方法，该方法包括通过在表面上沉积富勒烯来处理表面以产生经处理的表面，和在经处理的表面上沉积导电覆层。该导电覆层一般包含镁。还提供了根据该方法生产的产品和有机光电装置。

公开(公告)号：CN105655494B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201610154829.6

申请日：2016-03-18

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐超

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管的基底，其包括：柔性衬底(10)；金属层(20)，形成在所述柔性衬底(10)的第一表面上；第一钝化层(30)，形成在所述金属层(20)的背向所述第一表面的表面上；第二钝化层(40)，形成在所述柔性衬底(10)的第二表面上；其中，所述第二表面与所述第一表面相对。本发明还公开了一种有机发光二极管的基底的制作方法、有机发光二极管。本发明的有机发光二极管(OLED)的基底及其制作方法，与现有技术的OLED的基底相比，能够提高柔性衬底的水氧阻挡能力，且还能降低柔性衬底的上表面的粗糙度，同时又能提高柔性衬底的散热性。

公开(公告)号：CN108292715A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680070515.6

申请日：2016-11-04

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： S·H·金 ,  B·林

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0016 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338

Abstract: 公开了用于施加膜层至基底的图案化遮蔽膜。所述图案化遮蔽膜包括基层和多个通孔。多个通孔穿透基层并限定膜层的预定图案。膜层和基层具有至少一个不同的表面润湿性特征，并且基底和膜层具有至少一个相同的润湿性特征。具体地，基底和膜层可以是亲水的，而基层可以是疏水的。可选地，基底和所述膜层可以是疏水的，而基层可以是亲水的。

公开(公告)号：CN108140441A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061302.7

申请日：2016-10-19

Applicant: 索尔维公司

Inventor： J-Y.李

IPC: H01B1/12 ,  H01L51/00

CPC classification number: C09D5/24 ,  C09D7/63 ,  C09D165/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/127 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/0036 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0037

Abstract: 本发明涉及包含至少一种金属纳米线、至少一种π-共轭的导电聚合物、至少一种特定的中和试剂、和至少一种溶剂的组合物。根据本发明的组合物可以用于形成在触控面板和显示器应用中特别有用的透明导体。

公开(公告)号：CN104167496B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410378135.1

申请日：2014-08-01

Applicant: 上海和辉光电有限公司

Inventor： 李艳虎 ,  林信志 ,  张斌 ,  李贵芳

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5221 ,  C01D7/00 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5353 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明提供了一种倒置式顶发射器件，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，其中所述阴极的材料为碳酸铯。本发明所提供的倒置式顶发射器件及其制备方法，在现有ITO/Ag/ITO/HTL/EML/ETL/Mg:Ag结构的基础上，把器件结构改为：ITO/Ag/ITO/Cs2CO3/ETL/EML/HTL/MoO3/Ag，这样避免使用了低功函数金属Mg，在这种情况下，即便出现封装不理想的情况的，也可以保证器件不易受水氧氧化，从而保证获得较理想的器件寿命。

公开(公告)号：CN105140247B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201510652328.6

申请日：2015-10-10

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 许名宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L27/322 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5231 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5284

Abstract: 根据本发明的实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板、有机发光二极管显示器及其制造方法。具体地，所述有机发光二极管阵列基板包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的反射层；设置于所述反射层上的光阻层；设置于所述光阻层上的像素电极层。

公开(公告)号：CN105474426B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480045673.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 文英均 ,  姜旼秀

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种制备有机发光器件的方法。本发明的制备有机发光器件的方法包括：1)在基板上形成第一电极的步骤；2)在第一电极的至少部分区域上形成辅助电极的步骤；3)在辅助电极上形成绝缘层以及形成突出结构的步骤，其中绝缘层具有比辅助电极更大的宽度；以及4)在第一电极和绝缘层上形成第二电极的步骤，从而具有使提供在第一电极上的第二电极与提供在绝缘层上的第二电极彼此电性短路的结构。

公开(公告)号：CN107249766A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680007844.6

申请日：2016-01-22

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 新宫享 ,  大八木光成

IPC: B21B1/22 ,  B21B1/40 ,  B21B3/00 ,  H01L31/0392 ,  C22C21/00

CPC classification number: B21B1/40 ,  B21B1/22 ,  B21B3/00 ,  B21B2003/001 ,  B21B2261/14 ,  B21B2267/10 ,  C22C21/00 ,  H01B1/023 ,  H01B13/0036 ,  H01L24/50 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0392 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/301 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明提供一种铝箔，其具有第一主表面(1A)以及位于第一主表面(1A)的相反侧的第二主表面(1B)，在第一主表面(1A)以及第二主表面(1B)中的至少任一方的主表面，表面粗糙度Ra为10nm以下，并且轧制方向(X)以及与轧制方向(X)垂直的垂直方向(Y)的表面粗糙度Rz均为40nm以下，并且根据轧制方向(X)以及垂直方向(Y)中的至少一个方向上的粗糙度曲线计算出的峰值计数数值在基准长度(L)为40μm时为10以上。