-
公开(公告)号：CN103035838B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210555309.8
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
-
公开(公告)号：CN102683586B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210104120.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
-
公开(公告)号：CN103035839B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
-
公开(公告)号：CN102623638B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210116833.5
申请日：2012-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。
-
公开(公告)号：CN102664235A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210107418.3
申请日：2012-04-12
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法，属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO2层、Si层，阻变层和下电极层；其中，Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接，所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为：首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO2层；然后在所述SiO2层上制备一Al电极层；最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本，就可以得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，用较低的代价实现更小的实际电极面积。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035839A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
-
公开(公告)号：CN103035838A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210555309.8
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
-
公开(公告)号：CN102891253A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361359.2
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，可以有效地缩小电极的作用面积，同时，可以以制作微米级存储器的成本来实现纳米级存储器的效果，简化了存储器的制作工艺、同时节约了制作成本。
-
公开(公告)号：CN102881824A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210359880.2
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/24 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括衬底以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极位于所述阻变层之上，所述阻变层包括：阻变材料部分和掺有用于调节电阻状态的元素的至少一个掺杂阻变部分。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，由于阻变层并非单一的阻变材料，在阻变器set操作过程中，根据电压大小不同，会产生多个稳定的阻态，从而增加了阻变器的存储密度，同时，无需增大阻变器的体积。
-
公开(公告)号：CN102593352A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210041447.4
申请日：2012-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0007 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发明避免了传统方法中淀积阻变材料层的步骤，大幅降低了工艺复杂度。同时可以实现阻变材料层与底电极的自对准。保证器件之间的完全隔离。避免了传统工艺方法产生的众多寄生效应。同时保证了器件的实际面积与设计面积一致。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.017 seconds)
