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公开(公告)号：CN103258957B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310174160.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0591 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0035 , H01L51/102 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
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公开(公告)号：CN103682095A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310717874.4
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的非完全配比的氧化层。本发明采用分两次淀积功能层，形成具有氧组分不同的两层氧化层的功能层，靠近顶电极为完全配比的氧化层，而靠近底电极为非完全配比的氧化层；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒会明显提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，低阻态具有非线性，器件具有选择特性。本发明在有效抑制误读现象的情况下，无需串联专门的选择管，工艺简单，成本低；并且与现有工艺兼容，有利于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN104485416A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410669565.9
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极-阻变层-电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然后利用光刻胶作为牺牲层，利用传统半导体CMOS工艺的光刻技术，通过牺牲层在阻变薄膜材料层上刻蚀出超材料结构的电极图形；再在刻蚀出的图形上淀积金属电极材料，去除牺牲层后即形成阻变存储器结构。本发明将超材料做成电极结构应用在阻变存储器中，通过电磁波的非接触式激励来实现存储状态的改变，可以应用到电磁开关、电磁波探测等方面，极大的丰富了阻变存储器的应用。
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公开(公告)号：CN103035839B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485416B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201410669565.9
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极‑阻变层‑电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然后利用光刻胶作为牺牲层，利用传统半导体CMOS工艺的光刻技术，通过牺牲层在阻变薄膜材料层上刻蚀出超材料结构的电极图形；再在刻蚀出的图形上淀积金属电极材料，去除牺牲层后即形成阻变存储器结构。本发明将超材料做成电极结构应用在阻变存储器中，通过电磁波的非接触式激励来实现存储状态的改变，可以应用到电磁开关、电磁波探测等方面，极大的丰富了阻变存储器的应用。
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公开(公告)号：CN103258958B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310174161.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述存储器的衬底为绝缘材料，器件单元为横向的MIM电容结构；该MIM结构的两侧电极分别为ITO(氧化铟锡)和Al电极；中间功能层为两个聚对二甲苯层构成的双层结构；在两个聚对二甲苯层的界面处进行局部氧化修饰，从而形成有利于导电通道形成的薄弱区域，可以人为控制导电通路的位置与尺寸。本发明提出的有机阻变存储器能够提高器件的一致性，同时横向器件结构有利于器件阻变机制的观测和表征，所采用的聚对二甲苯制备成本低，且为透明介质。
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公开(公告)号：CN103258958A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174161.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述存储器的衬底为绝缘材料，器件单元为横向的MIM电容结构；该MIM结构的两侧电极分别为ITO(氧化铟锡)和Al电极；中间功能层为两个聚对二甲苯层构成的双层结构；在两个聚对二甲苯层的界面处进行局部氧化修饰，从而形成有利于导电通道形成的薄弱区域，可以人为控制导电通路的位置与尺寸。本发明提出的有机阻变存储器能够提高器件的一致性，同时横向器件结构有利于器件阻变机制的观测和表征，所采用的聚对二甲苯制备成本低，且为透明介质。
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公开(公告)号：CN103258957A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174160.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0591 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0035 , H01L51/102 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
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公开(公告)号：CN103035839A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
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