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公开(公告)号：CN110635026A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910754213.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种1TnR存算阵列单元的制备方法，属于半导体(semiconductor)、人工智能(artificial intelligence)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明充分利用了MOSFET带来的面积冗余，发挥阻变器件结构简单和特征尺寸小的优势，实现了更加高密度的阵列集成，使得在相同存储精度下，存储容量提高约n倍，或者在相同存储容量下，存储精度提高约n倍。因此本发明对未来适用于存储和存算一体的阻变器件高密度集成有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN105870321B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610183126.6
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种非线性自整流阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑能带修饰层‑顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积能带修饰层；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和能带修饰层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在修饰层上制备顶电极。
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公开(公告)号：CN103246904B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310197061.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0007
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激励信号的关联与否，并具有记忆特性，而且能够复述出之前的激励信号，即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高，能够实现大规模的物理神经元突触连接，以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能，本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103258957A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174160.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0591 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0035 , H01L51/102 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
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公开(公告)号：CN103246904A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310197061.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0007
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激励信号的关联与否，并具有记忆特性，而且能够复述出之前的激励信号，即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高，能够实现大规模的物理神经元突触连接，以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能，本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728160B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811555663.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法，基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺，通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备，减小忆阻器对后端工艺的影响，以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线上制作忆阻器及其阵列成为可能。此外，忆阻器有助于研究阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经网络的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN105895152B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610202361.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于单向导通存储单元的存储阵列读取方法，该存储阵列包括多条字线和与字线交叉的多条位线；设于各字线和各位线交叉点并与字线和位线连接的多个存储单元，该存储单元单向导通；以及外围读出电路，对连接到同一位线的存储单元进行读写；其步骤包括：对选中的存储单元所属字线施加一第一电压，对存储阵列的其它字线施加一第二电压；同时对该存储单元所属位线施加一第二电压，对其它位线施加一第一电压；通过外围读出电路读写该存储单元所在位线。
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公开(公告)号：CN109728160A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811555663.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法，基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺，通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备，减小忆阻器对后端工艺的影响，以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线上制作忆阻器及其阵列成为可能。此外，忆阻器有助于研究阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经网络的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN103887431B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410047253.4
申请日：2014-02-11
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/14 , G11C11/5664 , G11C13/0016 , G11C13/0097 , G11C2213/15 , G11C2213/52 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L51/0035 , H01L51/0098
Abstract: 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
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公开(公告)号：CN103887431A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410047253.4
申请日：2014-02-11
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/14 , G11C11/5664 , G11C13/0016 , G11C13/0097 , G11C2213/15 , G11C2213/52 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L51/0035 , H01L51/0098 , H01L51/0591 , H01L27/2463 , H01L51/0008 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/102
Abstract: 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
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