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公开(公告)号：CN103246904B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310197061.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0007
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激励信号的关联与否，并具有记忆特性，而且能够复述出之前的激励信号，即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高，能够实现大规模的物理神经元突触连接，以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能，本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103246904A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310197061.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0007
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激励信号的关联与否，并具有记忆特性，而且能够复述出之前的激励信号，即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高，能够实现大规模的物理神经元突触连接，以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能，本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101853922B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010158789.5
申请日：2010-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102456403A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010523322.6
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/06
CPC classification number: H01L29/42352 , G11C16/0475 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。从而通过编程模式的改变实现四位存储的功能，使得这种器件在性能得到提升的同时，存储密度也有较大的改善。
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公开(公告)号：CN101894910A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010223393.4
申请日：2010-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy)，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分，使其硅含量相对较多，引入更多的缺陷，空位，比如氮空位、氧空位等，从而得到稳定的双极器件。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105742491B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610202876.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也起着重要作用。
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公开(公告)号：CN103887431B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410047253.4
申请日：2014-02-11
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/14 , G11C11/5664 , G11C13/0016 , G11C13/0097 , G11C2213/15 , G11C2213/52 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L51/0035 , H01L51/0098
Abstract: 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
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公开(公告)号：CN106169534A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610591550.4
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法。本发明的自选择阻变存储器采用较薄的活性电极，具有挥发性低阻态，结合较小的限流值和特定的读写操作，在十字交叉阵列中应用可以抑制泄漏电流，实现阻变单元的无选择管高密度集成。
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公开(公告)号：CN105742491A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610202876.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/00 , G11C13/00 , G11C13/0009 , H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极?阻变层?电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也着重要作用。
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