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公开(公告)号：CN104919596B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201380070118.5
申请日：2013-11-26
Applicant: 佛罗里达大学研究基金会有限公司
Inventor： 安德鲁·加布里埃尔·林兹勒 , 刘博 , 米切尔·奥斯汀·麦卡西
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L27/092 , H01L27/283 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/413 , H01L29/7395 , H01L29/775 , H01L51/0039 , H01L51/0047 , H01L51/0048 , H01L51/0566 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 提供了关于双极型垂直场效应晶体管(VFET)的各种实施例。其中在一个实施例中，双极型VFET包括栅极层；源极层，其是电逾渗并且多孔的；介电层；漏极层；以及半导体沟道层。半导体沟道层与源极层的至少一部分和介电层的至少一部分接触，并且源极层和半导体沟道层形成栅极电压可调的电荷注入势垒。另一实施例包括包含介电表面处理层的双极型垂直场效应晶体管。半导体沟道层与源极层的至少一部分和介电表面处理层的至少一部分接触，并且其中源极层与半导体沟道层形成栅极电压可调的电荷注入势垒。
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公开(公告)号：CN104205395B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201380015836.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5234 , H01L51/102 , H01L51/441 , H01L51/5092 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , Y02E10/549
Abstract: 在不同的实施方式中提供一种电子结构(100)，所述电子结构具有至少一个有机层(112)和至少一个生长到有机层(112)上的金属生长层(114)和至少一个在金属生长层(114)上生长的金属层(116)，其中至少一个金属生长层(114)包含锗。
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公开(公告)号：CN104303313B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380011440.0
申请日：2013-02-27
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0512 , B82Y10/00 , H01L21/8221 , H01L27/04 , H01L27/0611 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L29/66477 , H01L29/7613 , H01L49/006 , H01L51/102 , H01L2251/10
Abstract: 本发明提供一种能够与二极管、隧道元件、MOS晶体管等电子元件组合的纳米器件及其集成电路、以及纳米器件的制作方法。纳米器件包括：第一绝缘层（2）；以具有纳米间隙的方式设置于第一绝缘层（2）上的一方的电极（5A）与另一方的电极（5B）；配置于一方电极（5A）与另一方的电极（5B）之间的金属纳米粒子（7）或者功能分子；以及设置在第一绝缘层（2）、一方的电极（5A）以及另一方的电极（5B）上，并且将金属纳米粒子（7）、功能分子中的任一种埋设的第二绝缘层（8）。第二绝缘层（8）作为钝化层起作用。
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公开(公告)号：CN104396041B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380028226.6
申请日：2013-03-28
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/0016 , H01L51/0018 , H01L51/0046 , H01L51/0055 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。另外，提供一种有机场效应晶体管和一种电子开关装置。
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公开(公告)号：CN106505148A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510564121.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 东北师范大学
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开了一种基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括如下步骤：1)制备迭片电极；2)将有机薄膜和步骤1)中所述迭片电极结合，即可得到。通过压合得到具有柔性面对面结构、非柔性面对面结构或卷对卷结构的所述有机薄膜场效应晶体管，无需蒸镀电极，避免了热辐射对电极和有机半导体薄膜的损伤；再者，迭片电极是柔性的，有机半导体薄膜亦可是柔性的；此外，有机薄膜场效应晶体管及电路可实现全柔性的卷对卷结构，利于实现大面积制备，具有一定的商业前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463554A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023935.4
申请日：2015-01-09
Applicant: 釜山大学校产学协力团
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/086 , C23C14/205 , C23C14/34 , C30B23/08 , C30B29/02 , C30B33/10 , H01B1/02 , H01B1/08 , H01B13/0036 , H01L31/022466 , H01L51/0023 , H01L51/102 , H01L51/445 , H01L51/5212 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法，尤其是一种包括：基板；单结晶铜电极层，形成于上述基板的上部且具有纳米级别尺寸线宽的蜂窝状图案；以及金属氧化物层，形成于上述单结晶铜电极层的上部且由金属氧化物构成；的利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法，具有光学透光度优秀、电气表面电阻低、机械稳定性优秀等优点。如上所述的本发明的技术要旨在于，一种利用单结晶铜的纳米级网纱多层结构电极及其制造方法，其特征在于包括：基板；单结晶铜电极层，形成于上述基板的上部且具有纳米级别尺寸线宽的蜂窝状图案；以及金属氧化物层，形成于上述单结晶铜电极层的上部且由金属氧化物构成。
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公开(公告)号：CN105845825A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610182471.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L51/0001 , H01L51/0062 , H01L51/102 , H02N1/04
Abstract: 本发明所述的一种有机摩擦场效应晶体管，包括第一基板，依次层叠设置在第一基板上的源漏电极层和有机半导体层；还包括直接设置在所述有机半导体层上的第一绝缘层，以及设置在所述第一绝缘层上方的第一摩擦层，所述第一绝缘层与所述第一摩擦层能够形成垂直间距变化运动；所述第一摩擦层上还直接设置有第一电极层，所述第一电极层与所述源漏电极层中的源电极电连接。利用摩擦发电机取代传统晶体管中的栅极，通过第一摩擦层与第一绝缘层的接触分离形成静电势作为栅极信号，调控有机半导体层中载流子传输特性，从而实现有机场效应晶体管的功能，有效简化有机场效应晶体管的集成。
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公开(公告)号：CN105247696A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480018607.0
申请日：2014-03-25
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L51/0015 , H01L51/0016 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , H01L51/102 , H01L51/44 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本公开涉及一种制造有机电子装置的方法，该方法包括提供分层装置结构，该分层装置结构包括多个电极和设置成与该多个电极中的至少一个电接触的电子活性区域，所述提供分层装置结构包括以下步骤：提供有机半导电层；将结构化层施加到有机半导电层，结构化层具有第一区域和第二区域，第一区域由层材料覆盖；通过至少在第一区域中沉积有机掺杂剂材料和有机掺杂剂-基质材料中的至少一种，将接触改进层施加到结构化层；在至少在第一区域中的接触改进层上沉积层材料；以及移除至少在第二区域中的结构化层。此外，提供一种有机电子装置。
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公开(公告)号：CN105097913A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410185027.2
申请日：2014-05-05
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 肖德元
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/055 , H01L51/0002 , H01L51/0018 , H01L51/0021 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/0558 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管包括：基底；在基底上方的碳纳米管；在基底上并且在碳纳米管的中间部分处围绕碳纳米管的栅极；以及在基底上并且分别在碳纳米管的两端围绕碳纳米管的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN103215592B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310152180.0
申请日：2013-04-27
Applicant: 苏州诺菲纳米科技有限公司
IPC: C23F1/30
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , H01L51/0023 , H01L51/102 , H01L51/441 , H01L51/5203
Abstract: 一种蚀刻膏，能够直接用于蚀刻纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃，所述蚀刻膏包括酸性蚀刻剂、无机金属盐、酸性介质氧化剂、填料、水溶性聚合物、保湿稀释剂、水。另外，本发明还揭示了一种利用前述蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法，其包括如下步骤：(a).将前述蚀刻膏印制在纳米银导电材料上；(b).常温下放置2~15分钟；(c). 将所述纳米银导电材料在60℃~130℃的温度下烘烤10分钟；(d).冲洗去除所述纳米银导电材料上残余的蚀刻膏。本发明的有益效果是：蚀刻膏能够直接用于蚀刻纳米银导电材料，环境污染小；另外，相比传统的蚀刻工艺，本发明的方法生产步骤简单，效率较高，适合产业化。
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