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公开(公告)号：CN111163595A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010006235.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K3/34 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装方法，该芯片封装方法包括：形成预结合组件，其中，预结合组件包括引线框架母体和多个芯片，引线框架母体包括多个引线框架单元，每个引线框架单元周围形成有容纳凹陷，容纳凹陷内填充有第一结合材；多个芯片一一对应地固定于多个引线框架单元的安装面，其中，每个芯片通过导线与对应的引线框架单元上的触点键合；在引线框架母体安装面形成封装体，其中，封装体包括多个封装单元，每个封装单元覆盖一个芯片；沿每个容纳凹陷中第一结合材的中部切割；每个引线框架的侧面遗留有第一结合材的部分结构，有利于降低引线框架与电路板的焊接难度，并提高焊接结合强度。
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公开(公告)号：CN111162057A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010008279.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/15 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。
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公开(公告)号：CN111029265A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911362878.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封模具，塑封模具内设有与模封框架对应布置的用于塑封灌注的空腔，空腔内沿模封框架长度方向的两侧部高度低于中间部分的高度。塑封模具上设有与空腔连接的注入口。本发明还提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封方法，包括S10：将芯片搭载在模封框架上。S20：将已搭载芯片的模封框架固定在上述所述的任一项塑封模具内。S30：通过注入口进行塑封灌注。S40：对经过S30处理的整块塑封料进行磨平。S50：根据芯片的位置和形状进行完全切割。本发明提供的防止QFN模封框架翘曲的塑封模具及方法，可以使模封框架所受应力均匀，不发生翘曲，从而有效提高QFN芯片封装出产率。
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公开(公告)号：CN110970375A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811149961.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN110718508A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810762665.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子元件封装结构、电器设备及电子元件的封装方法，涉及电子元件技术领域，解决了现有技术中存在的封装结构吸湿率大导致的电子元件可靠性降低的技术问题。电子元件封装结构包括电子元件、载体和水汽隔离层，所述电子元件安装在所述载体上，所述水汽隔离层覆盖于所述电子元件的外侧以及所述电子元件的周围载体上；所述水汽隔离层至少能够防止水汽沿所述电子元件的上方和周围入侵所述电子元件。通过在电子元件之外以及电子元件周围的载体上设置水汽隔离层来防止水汽入侵电子元件，还能缓冲电子元件的内部应力，提高电子元件的可靠性，延长电子元件的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110400776A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910589553.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及电子芯片技术领域，公开一种功率芯片及其制备方法。在衬底的一侧表面形成沟道层和势垒层，通过隔离工艺形成一个SBD有源区和一个HEMT有源区；在势垒层上形成芯片器件层，芯片器件层包括SBD阳极、SBD阴极、HEMT源极、HEMT漏极、HEMT栅极、第一金属层、阳极焊盘和阴极焊盘，SBD阴极与HEMT源极通过第一金属层电连接，SBD阳极和HEMT栅极与阳极焊盘电连接，HEMT漏极与阴极焊盘电连接；在芯片器件层上形成表面钝化介质层，并通过构图工艺在表面钝化介质层上形成过孔以露出阳极焊盘和阴极焊盘。本申请实施例可同时实现低开启电压和高反向耐压，降低封装难度，减小芯片寄生效应，提高电路工作效率。
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公开(公告)号：CN110176451A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910394758.0
申请日：2019-05-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种功率模块及其封装方法，其功率模块包括承载板，所述承载板包括绝缘层和设置于所述绝缘层一表面的金属层；所述功率模块还包括至少一个功率芯片和至少一个驱动芯片，分别贴装在所述金属层的远离所述绝缘层的表面，并通过键合线与所述金属层电性连接。本发明通过将功率芯片、驱动芯片和引脚贴装在承载板的金属层，即通过承载板代替现有技术用的高密度引线框架和PCB板，从而大大的节约了成本，简化了封装工艺。
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公开(公告)号：CN211555856U
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202020048803.5
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装器件及组合半导体封装器件，所述结构包括：引线框架和塑封层；所述引线框架包括第一框架和第二框架，所述第一框架向远离所述第二框架的一侧延伸形成第一接触部；所述第二框架向垂直于所述第一接触部的延伸方向延伸形成第二接触部；塑封层，对所述引线框架的框架主体进行塑封，所述第一接触部、所述第二接触部和若干个管脚暴露在塑封层外。本实用新型能够通过第一接触部和/或第二接触部对半导体封装器件进行连接组合，代替了使用跳线等复杂的组合方式，使连接方式更加方便简单。
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公开(公告)号：CN211428154U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020380049.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种针脚、功率器件和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210956680U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020123248.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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