公开(公告)号：CN101916783B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010252925.7

申请日：2010-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN102509734A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110348900.1

申请日：2011-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/94 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种利用原子层淀积(ALD)制备锗基MOS电容的方法。本发明步骤为：首先在Ge基衬底上进行快速热氧化处理，形成GeO2；然后在其上淀积高介电常数的HfO2作为栅介质，再制作电极，形成Ge基MOS电容。本发明采用快速热氧化处理方法在Ge基衬底表面形成一层高质量的GeO2，可防止Ge的扩散，减小缺陷电荷和界面态密度，改善界面特性；所淀积的HfO2介质层，厚度可精确控制性，保形性能优异，界面控制能力强，均匀性好。本发明可大大提高Ge基MOS电容的电学特性，从而提高Ge基MOS晶体管的性能。

公开(公告)号：CN102437060A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110410865.1

申请日：2011-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  刘伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法。U型沟道结构能够有效地延长晶体管的沟道长度，抑制晶体管中漏电流的产生，降低芯片功耗。本发明所提出的U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法能够实现极窄的U型沟道，并克服由光刻引入的对准偏差，提高芯片的集成度。

公开(公告)号：CN102339775A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110285677.0

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/316 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2O3介质的方法。该方法包括：使用新型的硫钝化剂，与砷化镓表面的自体氧化物发生反应而清洗，并生成硫化物钝化膜使砷化镓和外界隔绝，从而防止了砷化镓的再次氧化；利用ALD淀积Al2O3的反应源三甲基铝与砷化镓表面进行的预处理反应，进一步清洗GaAs表面的残留自体氧化物和硫化物等，然后采用ALD淀积高质量Al2O3介质作为栅介质，Al2O3介质层将GaAs和外界环境很好地隔离开来。本发明工艺简单，效果良好，为进一步制备GaAs的器件提供了前提条件。

公开(公告)号：CN102332395A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110285019.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  李叶 ,  房润辰 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节约了成本。本发明同时将对栅氧和栅电极的刻蚀转化为对SiO2的刻蚀，降低了刻蚀工艺的难度，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN101699617B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200910197859.5

申请日：2009-10-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  王鹏飞 ,  仇志军 ,  张卫

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。

公开(公告)号：CN102222697A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110177198.7

申请日：2011-06-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  王玮 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于半导体衬底之上所述MIS结构一侧的栅极，以及位于MIS结构与所述栅极之间的栅绝缘体层。本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的类似MOSFET（MOS-like）的器件，通过对MOS-like器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小反向电流，提高亚阈值摆幅性能。

公开(公告)号：CN102222686A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110177226.5

申请日：2011-06-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  王玮 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：栅绝缘体层以及位于所述栅绝缘体层之上围绕MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的围栅型栅控金属-绝缘体器件，所述栅极围绕所述金属-绝缘体结构一周，用于增强栅极的控制能力，同时通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小漏电流电流，提高亚阈值摆幅性能。

公开(公告)号：CN102142428A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110048029.3

申请日：2011-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  胡龙龙 ,  杨春晓 ,  张卫 ,  王鹏飞

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得Ru/WHfN双层阻挡层在750℃高温下退火30分钟后也没有发生铜的扩散。另外，该Ru/WHfN双层阻挡层在方块电阻测试、元素深度剖面图和漏电流测试方面都证明其优于Ru单层阻挡层和Ru/WN双层阻挡层。

公开(公告)号：CN102034874A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010540309.1

申请日：2010-11-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于50纳米以下的非挥发性存储器技术领域，具体为一种非挥发性存储器及其制造方法。本发明的非挥发性存储器使用带浮栅的碰撞电离型MOSFET作为基本结构。本发明所提出的非挥发性存储器能够克服短沟道效应，并且在抑制亚阈值摆幅的同时提高驱动电流。本发明还提出了所述非挥发性存储器的制造方法。本发明所提出的非挥发性存储器非常适用于集成电路芯片的制造，特别是低功耗芯片的制造。