公开(公告)号：CN102157439A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110047987.9

申请日：2011-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  孟庆伟 ,  杨春晓 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体涉及一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以单环形的2,4,6,8-四乙烯基-2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷为前驱体，采用旋涂的方法在硅衬底上形成一层前驱体薄膜；接着用紫外光对所得薄膜进行辐照，使前驱体单体之间发生聚合反应，形成超低介电常数SiOCH薄膜；然后对该薄膜在进行热退火处理，以进一步改善SiOCH薄膜的电学特性。采用本发明方法获得的SiOCH薄膜的介电常数可到1.94，击穿电场强度大于3MV/cm，在1MV/cm的外电场下其漏电流密度为10-7A/cm2数量级，杨氏模量大于2GPa，硬度大于0.2GPa。

公开(公告)号：CN102142428A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110048029.3

申请日：2011-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  胡龙龙 ,  杨春晓 ,  张卫 ,  王鹏飞

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得Ru/WHfN双层阻挡层在750℃高温下退火30分钟后也没有发生铜的扩散。另外，该Ru/WHfN双层阻挡层在方块电阻测试、元素深度剖面图和漏电流测试方面都证明其优于Ru单层阻挡层和Ru/WN双层阻挡层。

公开(公告)号：CN102142428B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201110048029.3

申请日：2011-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  胡龙龙 ,  杨春晓 ,  张卫 ,  王鹏飞

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得Ru/WHfN双层阻挡层在750℃高温下退火30分钟后也没有发生铜的扩散。另外，该Ru/WHfN双层阻挡层在方块电阻测试、元素深度剖面图和漏电流测试方面都证明其优于Ru单层阻挡层和Ru/WN双层阻挡层。