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公开(公告)号：CN115216842A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210724292.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。
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公开(公告)号：CN113668052A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110931253.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN112635657A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011593539.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且在低输入功率下具有较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN112331747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011288517.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种全色Micro/Nano LED阵列直接外延方法和结构，包括：1)在衬底外延生长缓冲层、非故意掺杂层以及n型层；2)在n型层上沉积第一介质层，在第一介质层上制作第一组微米或纳米孔阵列，在制成的第一组微米或纳米孔阵列内外延生长第一发光单元；3)制作第二介质层，并在该第二介质层上制作第二组微米或纳米孔阵列，在制成的第二组微米或纳米孔阵列内外延生长第二发光单元；4)制作第三介质层，并在该第三介质层上制作第三组微米或纳米孔阵列，在制成的第三组微米或纳米孔阵列内外延生长第三发光单元；5)使用化学溶液，将介质层腐蚀清除，露出发光单元。本发明避免了巨量转移的难题，可直接外延生长全色Micro/Nano LED阵列，具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN108735806B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III‑VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III‑VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110165028B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910532879.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。
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公开(公告)号：CN108535890B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III‑VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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公开(公告)号：CN110880522A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910972267.X
申请日：2019-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法，其器件结构包括：衬底，图形化的n型氮化镓层，多量子阱有源层，p型氮化镓层，绝缘层，n型电极和p型电极，红光波长转换材料。在图形化的n型氮化镓层的极性面和非极性面上同时外延多量子阱有源层，分别获得绿光和蓝光微型LED发光单元。每个像素单元包含一个绿光微型LED发光单元和两个蓝光微型LED发光单元，通过使用红光波长转换材料将其中一个蓝光微型LED发光单元转换为红光微型LED发光单元，从而在同一晶圆上得到红绿蓝RGB模块，集成RGB像素单元，并将该结构倒装结合至集成电路控制板，实现全色显示。
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公开(公告)号：CN108682703B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810540087.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L33/26 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX3二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和绝缘介质层分别设置于磁性MnPX3二维晶体的上表面；所述栅电极设置于绝缘介质层的上表面；通过控制III族氮化物的掺杂类型和掺杂浓度，通过调控栅压对磁性MnPX3二维晶体进行静电掺杂，使器件具有I型和II型的可调能带结构和带隙宽度，使得器件在I型能带结构的栅压范围内产生具有可控极化率的旋光效应，在II型能带结构的栅压范围内且在入射光激发下产生具有可控极化率的光电流。
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公开(公告)号：CN108445570B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201810229079.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔包括法布里‑珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。本发明提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，解决了当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。
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