公开(公告)号：CN115216842A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210724292.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康闻宇 ,  檀鹏 ,  尹君 ,  康俊勇

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。

公开(公告)号：CN115216842B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210724292.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康闻宇 ,  檀鹏 ,  尹君 ,  康俊勇

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。