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公开(公告)号：CN1237581C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02155062.X
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。
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公开(公告)号：CN1157805C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01118325.X
申请日：2001-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法，在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计，在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构，周期为亚微米或微米级，深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比，在同样电流下发光强度增至1.6-8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。
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公开(公告)号：CN1296296A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00129633.7
申请日：2000-09-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种以氮化镓为基础的Ⅲ－族氮化物半导体材料制备半导体器件的方法。本发明提供了一种将在透明衬底上生长光发射材料所制备的光发射二极管的正面除N－电极以外的全部面积均做为P－电极,相反的背面做为出光面,并且采用倒装焊接方法进行封装的基于氮化镓光发射二极管制备的新方法。该方法不仅减少了制备过程的要求和限制,提高了光发射二极管有源区发光的出射率,而且提高了光发射二极管的产率。适用于在类似蓝宝石透明绝缘衬底材料上生长的氮化物材料所制造的器件,例如各种波长的发光二极管、激光器、紫外光探测器等。
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公开(公告)号：CN109652859B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201811608221.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。
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公开(公告)号：CN114737250B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210410043.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112542533B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011380972.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。
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公开(公告)号：CN115831746A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211630556.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/265 , H01L23/373 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开一种金刚石上薄层器件及其制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长薄层器件外延结构；利用离子注入形成离子掩埋层；进行源电极和漏电极制作；进行栅电极制作；淀积氮化硅介质层；沉积金刚石材料层，加热过程中，外延材料从离子掩埋层中分离开，形成金刚石/氮化镓薄层器件；利用激光方法在源漏栅区进行开窗口，用于电路引线，形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。本发明精确控制剥离氮化物外延层器件的厚度，实现薄层器件直接转移器件到金刚石材料上，利用金刚石材料直接生长与结合离子注入分离传统衬底，解决现在薄层氮化镓材料或者器件与金刚石材料结合技术路线中应力大、剥离精度不高、不合适量产、散热不好的问题。
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公开(公告)号：CN115579280A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211239724.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在GaN厚膜中引入热失配应力，提高GaN单晶衬底的晶体质量，位错密度低，且具有良好的尺寸扩展能力；基板能够重复利用，工艺简单，节能环保；利用多层二维晶体掩膜实现多块GaN单晶衬底的单次原位制备与分离，能够提高产率并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115012040A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210947857.9
申请日：2022-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用单晶二维材料制备大尺寸氮化物体单晶的方法。本发明利用拼接多晶氮化物基元得到载体氮化物基板，在其上下表面转移的二维材料上制备单晶扩展层与单晶截止层，通过构建高温高压温度梯度场诱导从单晶AlN诱导体到整个氮化物结构的单晶化过程，能够制备出厘米级厚度百微米直径以上的大尺寸氮化物体单晶，并制备GaN或AlN等不同氮化物体单晶，通过超高质量的单晶AlN诱导体诱导重结晶，能够得到极高晶体质量的氮化物体单晶，工艺难度小并适于批量生产；本发明适用于氮化物半导体单晶衬底制备产业，氮化物体单晶切割后，能够作为衬底用于制造高性能的发光器件和电子器件，在激光照明、射频通讯等领域具有重要应用。
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