公开(公告)号：CN111816550A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010630174.1

申请日：2020-07-03

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 梁智文 ,  王琦 ,  袁冶 ,  王新强 ,  汪青 ,  张国义

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单，可操作性强，无需激光处理，不受功能材料的尺寸限制，利于在工业中应用。

公开(公告)号：CN112542533B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202011380972.X

申请日：2020-12-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李铎 ,  孙明 ,  刘权锋 ,  刘上锋 ,  康俊杰 ,  袁冶 ,  张国义

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。

公开(公告)号：CN117845326B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410258109.9

申请日：2024-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李泰 ,  罗巍 ,  袁冶 ,  卢同心 ,  王涛 ,  陈兆营

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。

公开(公告)号：CN117845326A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410258109.9

申请日：2024-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李泰 ,  罗巍 ,  袁冶 ,  卢同心 ,  王涛 ,  陈兆营

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。

公开(公告)号：CN112542533A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011380972.X

申请日：2020-12-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李铎 ,  孙明 ,  刘权锋 ,  刘上锋 ,  康俊杰 ,  袁冶 ,  张国义

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。