公开(公告)号：CN112542533A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011380972.X

申请日：2020-12-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李铎 ,  孙明 ,  刘权锋 ,  刘上锋 ,  康俊杰 ,  袁冶 ,  张国义

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。

公开(公告)号：CN112542533B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202011380972.X

申请日：2020-12-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李铎 ,  孙明 ,  刘权锋 ,  刘上锋 ,  康俊杰 ,  袁冶 ,  张国义

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。