-
公开(公告)号：CN1373523A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02100345.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法,采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源,将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上,形成球冠形,再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物,最后用透明树脂常规封装。这种白光发光二极管可以改善荧光粉涂覆的均匀性;有效保护发光芯片和金丝,增强发光强度;荧光粉与管芯不接触,避免了荧光粉退化引起的发光效率降低及发光颜色改变问题;可调节发光强度的空间分布;改变色坐标、色温等参数。可广泛应用于彩色全色显示、家庭和背景照明、动态显示等领域。
-
公开(公告)号：CN1237581C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02155062.X
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。
-
公开(公告)号：CN1296296A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00129633.7
申请日：2000-09-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种以氮化镓为基础的Ⅲ－族氮化物半导体材料制备半导体器件的方法。本发明提供了一种将在透明衬底上生长光发射材料所制备的光发射二极管的正面除N－电极以外的全部面积均做为P－电极,相反的背面做为出光面,并且采用倒装焊接方法进行封装的基于氮化镓光发射二极管制备的新方法。该方法不仅减少了制备过程的要求和限制,提高了光发射二极管有源区发光的出射率,而且提高了光发射二极管的产率。适用于在类似蓝宝石透明绝缘衬底材料上生长的氮化物材料所制造的器件,例如各种波长的发光二极管、激光器、紫外光探测器等。
-
公开(公告)号：CN100459185C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410089599.7
申请日：2004-12-15
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。
-
公开(公告)号：CN1508847A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02155062.X
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1147937C
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN00129633.7
申请日：2000-09-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种以氮化镓为基础的III-族氮化物半导体材料制备半导体器件方法。本发明提供了一种将衬底生长发光二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极，相反的背面做为出光面，并且采用倒装焊接方法进行封装的基于氮化镓发光二极管制备的新方法。该方法不仅减少了制备过程的要求和限制，提高了发光二极管有源区发光的出射率，而且提高了发光二极管的产率。适用于在类似蓝宝石透明绝缘衬底材料上生长的氮化物材料所制造的器件，例如各种波长的发光二极管、激光器、紫外光探测器等。
-
公开(公告)号：CN100389503C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200510011135.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
-
公开(公告)号：CN1801498A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510011135.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
-
公开(公告)号：CN1790753A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410089599.7
申请日：2004-12-15
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。
-
公开(公告)号：CN1242091C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02155061.1
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升高到1100-1180℃对成核层进行退火，退火后，在最后的退火温度下，通过线性变化TMGa的流量，开始变速率外延生长GaN缓冲层，在这之后，匀速生长一厚度为2-4微米的GaN缓冲层，在该缓冲层上外延生长器件结构，并通过在其上生长InGaN/GaN多量子阱LED结构，对变化速率进行了优化。本发明可有效实现三维生长向二维生长过渡，以提高外延生长的氮化物发光二极管结构外延片的质量和发光强度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.016 seconds)
