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公开(公告)号：CN117604636A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311471457.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，包括：在异质衬底表面外延生长高取向的多晶金刚石外延层，除去异质衬底得到自支持高取向的多晶金刚石薄片；对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平，再沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或往复研磨与抛光；在处理后的多晶金刚石薄片的生长面继续外延生长高取向的多晶金刚石外延层，再次对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平和沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或直线往复研磨与抛光，重复此步骤直至得到单晶金刚石薄片。本发明先在异质衬底上生长多晶金刚石，然后从多晶金刚石逐步过渡为单晶金刚石，降低了对设备、技术及原材料的要求，便于规模化生长大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN114334611A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630538.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石上生长氮化物的方法，所述金刚石上生长氮化物的方法包括如下步骤：制备一组金刚石单晶衬底和三组金刚石多晶抛光衬底，在其中一组金刚石单晶衬底上制备氮化镓/石墨烯/金刚石的材料，在另三组金刚石多晶抛光衬底上制备氮化镓/硫化钼/金刚石的材料。本申请解决氮化物直接在金刚石上生长遇到的晶格失配及应力失配问题，通过本申请，可以实现直接在金刚石上生长高质量的氮化物外延材料。
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公开(公告)号：CN111155163A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN110690106A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911008284.8
申请日：2019-10-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种单晶金刚石芯片的制备方法，本发明首先通过制备芯片沉积模板，并在芯片沉积模板制备设有开窗的掩膜，对芯片沉积模板进行隔离，然后放进CVD反应室，进行N型金刚石外延层生长，完成N型金刚石外延层生长后，接着进行P型外延层生长，然后在芯片沉积模板的背面和P型外延层的外侧进行欧姆接触电极的制备，接着去除掩膜，形成排列于芯片沉积模板的若干个单晶金刚石芯片，本发明的制备方法，解决了金刚石因为材料尺寸太小而不能产业化问题，可直接在隔离后的芯片沉积模板上外延生长成小尺寸的芯片，切割后即可直接封装进行使用。
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公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507632A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410565653.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/64 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种小间距LED阵列基座及其制备方法，包括：基板，所述基板的表面形成有按预设间隔呈周期性排列的LED阵列，所述LED阵列包括多个呈阵列排布的LED芯片单元；及热沉材料，所述热沉材料旋涂于所述LED阵列中LED芯片单元之间的间隙中。本发明利用溶液旋涂的方法在mini LED或micro LED阵列中LED芯片单元的间隙中填充金刚石微粉，并在LED芯片单元的四周紧密形成高热导的热沉，其热沉紧靠LED发光区，热传导效果好，实现小间距LED阵列基座较佳的散热效果。
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公开(公告)号：CN116387346A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310512094.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。
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公开(公告)号：CN112968005B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
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公开(公告)号：CN111155163B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN112064111B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010830589.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法，该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元，壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室，上腔室内设有微波等离子体；本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降，金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中，掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜，抑制金刚石圆片的轴向生长，使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片；并且根据直径检测单元的反馈，随着金刚石圆片直径生长变大，升降式旋转支架逐步降低，维持金刚石圆片的顶部高度不变，以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。
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