-
公开(公告)号：CN112542533B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011380972.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。
-
公开(公告)号：CN115863505A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310169249.4
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维结构的氮化物发光二极管及其制备方法。本发明包括：生长衬底、平面结构的N型氮化物层、N型氮化物三维结构、氮化物多量子阱层、P型氮化物层、P型电极金属层和N型电极金属层；本发明的氮化物三维结构的多个不同晶面指数的表面上形成的氮化物多量子阱层的厚度和合金组分不同，对应的多量子阱中子带的能量也不同，形成了垂直多量子阱生长方向的能量梯度，促进了空穴和电子在多量子阱中的横向迁移，弥补了沿多量子阱生长方向载流子注入效率的不足；另一方面，垂直氮化物多量子阱生长方向的能量梯度构成了载流子的能量势阱，增强了多量子阱中电子和空穴的空间局域效应，提高了电子和空穴的复合效率。
-
公开(公告)号：CN112542533A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011380972.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.015 seconds)
