公开(公告)号：CN101609827B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200910150549.8

申请日：2009-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  千田章裕 ,  永田贵章 ,  坂仓真之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07747 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/1163 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00

Abstract: 发明的目的在于提供一种无需在纤维体中打贯穿孔而可以在预浸料的内部形成导电区域的方法。发明提供一种布线衬底包括：有机树脂层和纤维体，其中所述纤维体浸渗有所述有机树脂层，以及浸渗在所述纤维体中的通过溶解所述有机树脂层而形成的布线，其中所述布线露出在所述有机树脂层的两个表面并以所述纤维体位于所述布线中的方式穿过所述纤维体。发明还提供一种半导体装置，其中以使凸块接触于所述布线的方式，将具有所述凸块的集成电路芯片贴合到所述布线衬底。

公开(公告)号：CN102646600A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210102929.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78645

Abstract: 半导体设备及其制造方法。本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。

公开(公告)号：CN102623348A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210096030.8

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。发明的目的在于减少由于半导体膜的沟道形成区域的端部的特性使晶体管的特性受到的影响。本发明的半导体装置的结构为，具有在衬底上的半导体膜的沟道形成区域上之间夹栅绝缘膜而形成的栅电极，且上述半导体膜配置在比上述绝缘膜的端部内侧的区域中，并且上述沟道形成区域的侧面至少不接触于上述栅绝缘膜。换言之，本发明的半导体装置具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜围绕而形成的空隙。注意，其结构也可以为上述沟道形成区域的侧面不接触于上述栅电极，即，也可以具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜、上述栅电极围绕而形成的空隙。

公开(公告)号：CN102576677A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043261.1

申请日：2010-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  宫永昭治 ,  坂仓真之 ,  肥塚纯一 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN1866540B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200610084061.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。

公开(公告)号：CN1578546B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200410069424.X

申请日：2004-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  乡户宏充 ,  土屋薰

IPC: H01L51/56 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L23/564 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/44 ,  H01L51/5237 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。

公开(公告)号：CN101174642B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200710168213.5

申请日：2007-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  片山雅博 ,  及川欣聪 ,  广濑笃志 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1892 ,  H01M10/46 ,  H03F3/08 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：在第一绝缘膜上且具有光电二极管、放大所述光电二极管的输出电流的放大器电路的第一元件；以及在第二绝缘膜上且具有颜色滤光片、所述颜色滤光片上的外敷层的第二元件，其中，通过利用粘结材料粘结所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，来将所述第一元件和所述第二元件贴附在一起。此外，所述放大器电路是具有薄膜晶体管的电流镜电路。此外，也可以使用颜色薄膜而代替颜色滤光片。

公开(公告)号：CN101950740A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010231768.1

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  大沼英人 ,  桑原秀明

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。

公开(公告)号：CN1983586B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200610137422.9

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  大沼英人 ,  桑原秀明

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置及其制造方法。本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。

公开(公告)号：CN100565868C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610095737.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宮崎彩

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明是的半导体器件包括：第一导电层；第二导电层；形成在第一导电层和第二道电层之间，并且具有接触孔的绝缘层；以及连接到第一导电层和第二导电层，并且至少端部的一部分形成在接触孔内侧的第三导电层。在第二导电层和第三导电层彼此连接的接触孔附近，第三导电层不中间夹着第一绝缘层重叠于第二导电层，所以第三导电层的端部不形成在第一绝缘层上。因此，可以减少第三导电层的凹凸。