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公开(公告)号：CN1912739A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114822.8
申请日：2006-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F1/50 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供能够均匀地形成半透射部分的光致抗蚀剂层的膜厚的曝光掩模，而且提供半导体器件的制造方法，其通过使用该曝光掩模来减少在制造TFT衬底时所需的光蚀刻步骤的数目(掩模数量)。本发明使用一种曝光掩模，其包括透射部分、遮光部分、以及反复重复形成线和间隔的具有光强度降低功能的半透射部分，其中，当曝光设备的分辨率为n、投影放大率为1/m(m≥1)时，所述半透射部分的遮光材料的线宽L和在遮光材料之间的间隔宽S的总和与n、m的关系满足(2n/3)×m≤L+S≤(6n/5)×m的条件式。
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公开(公告)号：CN1599523A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078766.8
申请日：2004-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/529 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L51/5206 , H01L51/5246 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的一个结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN1599523B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200410078766.8
申请日：2004-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/529 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L51/5206 , H01L51/5246 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明涉及显示器件及其制造方法，目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN1912739B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610114822.8
申请日：2006-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F1/50 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供能够均匀地形成半透射部分的光致抗蚀剂层的膜厚的曝光掩模，而且提供半导体器件的制造方法，其通过使用该曝光掩模来减少在制造TFT衬底时所需的光蚀刻步骤的数目(掩模数量)。本发明使用一种曝光掩模，其包括透射部分、遮光部分、以及反复重复形成线和间隔的具有光强度降低功能的半透射部分，其中，当曝光设备的分辨率为n、投影放大率为1/m(m≧1)时，所述半透射部分的遮光材料的线宽L和在遮光材料之间的间隔宽S的总和与n、m的关系满足(2n/3)×m≦L+S≦(6n/5)×m的条件式。
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公开(公告)号：CN1873933B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610092457.5
申请日：2006-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/1285 , H01L27/1288
Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866540A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084061.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN101483186B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810186334.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：CN100557847C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200410078496.0
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L21/31608 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5246 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光器件，该发光器件在提高获取来自发光元件的发光效率的同时，实现了低功耗和高稳定性。为了实现稳定性高的发光器件，至少层间绝缘膜(包含平整膜)、阳极、以及覆盖该阳极边缘的堤坝(bank)包含在化学性和物理性上稳定的氧化硅，或者，层间绝缘膜和堤坝由以氧化硅为主要成分的材料。根据本发明的结构，不但可以提高发光面板的效率(亮度/电流)，而且可以抑制发光面板的发热，在发光器件的可靠性上获取乘数效应。
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公开(公告)号：CN1873933A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610092457.5
申请日：2006-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/1285 , H01L27/1288
Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。
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公开(公告)号：CN1596045A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410078496.0
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L21/31608 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5246 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光器件，该发光器件在提高获取来自发光元件的发光效率的同时，实现了低功耗和高稳定性。为了实现稳定性高的发光器件，至少层间绝缘膜(包含平整膜)、阳极、以及覆盖该阳极边缘的堤坝(bank)包含在化学性和物理性上稳定的氧化硅，或者，层间绝缘膜和堤坝由以氧化硅为主要成分的材料。根据本发明的结构，不但可以提高发光面板的效率(亮度/电流)，而且可以抑制发光面板的发热，在发光器件的可靠性上获取乘数效应。
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