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公开(公告)号：CN117917186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060522.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , G02B5/20 , G09F9/30 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/28 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：层叠有多个发光层的第一发光器件和层叠有多个发光层的第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第一布线层在俯视时具有格子形状。
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公开(公告)号：CN110518017B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910418591.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN104885230B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380067846.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255
Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极；电容器，该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜；在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及在氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜。介电膜是氮化绝缘膜，氧化绝缘膜在一对电极之一上包括第一开口，氮化绝缘膜在一对电极之一上包括第二开口，且第二开口与第一开口相比是在内侧。
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公开(公告)号：CN101740495B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200910246065.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/32134 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。
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公开(公告)号：CN101174642A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710168213.5
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L31/02005 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/1055 , H01L31/1892 , H01M10/46 , H03F3/08 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：在第一绝缘膜上且具有光电二极管、放大所述光电二极管的输出电流的放大器电路的第一元件；以及在第二绝缘膜上且具有颜色滤光片、所述颜色滤光片上的外敷层的第二元件，其中，通过利用粘结材料粘结所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，来将所述第一元件和所述第二元件贴附在一起。此外，所述放大器电路是具有薄膜晶体管的电流镜电路。此外，也可以使用颜色薄膜而代替颜色滤光片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118202813A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073307.7
申请日：2022-11-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10K50/84 , H10K50/844 , H10K59/38 , H10K71/00
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一有机绝缘层、第一有机绝缘层上的第一无机绝缘层及第二无机绝缘层、第一发光元件、第二发光元件以及第二有机绝缘层。第一发光元件包括第一无机绝缘层上的第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第二无机绝缘层上的第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二有机绝缘层设置在第一EL层与第二EL层之间，公共电极设置在第二有机绝缘层上。第一有机绝缘层在与第二有机绝缘层重叠的区域中具有凹部，第一无机绝缘层具有与凹部重叠的第一突出部，第二无机绝缘层具有与凹部重叠的第二突出部。
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公开(公告)号：CN117693782A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280052018.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一下部电极以及位于第一下部电极上的第一有机化合物层的第一发光器件；包括第二下部电极以及位于第二下部电极上的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件以及第二发光器件包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线包括第一布线层以及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时具有格子状。
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公开(公告)号：CN110265482B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910354858.0
申请日：2014-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H10K59/121 , H10K71/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种在一个衬底上形成有多种电路且设置有对应于多种电路的特性的多种晶体管的显示装置。该显示装置在一个衬底(11)上包括像素部和驱动该像素部的驱动电路。像素部包括具有第一氧化物半导体膜(84)的第一晶体管(10m)。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜(82)的第二晶体管(10k)。第一氧化物半导体膜(84)和第二氧化物半导体膜(82)形成在一个绝缘表面上。第一晶体管(10m)的沟道长度大于第二晶体管(10k)的沟道长度。第一晶体管(10m)的沟道长度大于或等于2.5μm。
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公开(公告)号：CN109891551A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066486.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。
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公开(公告)号：CN104885230A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380067846.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255
Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极；电容器，该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜；在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及在氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜。介电膜是氮化绝缘膜，氧化绝缘膜在一对电极之一上包括第一开口，氮化绝缘膜在一对电极之一上包括第二开口，且第二开口与第一开口相比是在内侧。
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