公开(公告)号：CN100565868C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610095737.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宮崎彩

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明是的半导体器件包括：第一导电层；第二导电层；形成在第一导电层和第二道电层之间，并且具有接触孔的绝缘层；以及连接到第一导电层和第二导电层，并且至少端部的一部分形成在接触孔内侧的第三导电层。在第二导电层和第三导电层彼此连接的接触孔附近，第三导电层不中间夹着第一绝缘层重叠于第二导电层，所以第三导电层的端部不形成在第一绝缘层上。因此，可以减少第三导电层的凹凸。

公开(公告)号：CN1893058A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095737.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宮崎彩

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明是的半导体器件包括：第一导电层；第二导电层；形成在第一导电层和第二道电层之间，并且具有接触孔的绝缘层；以及连接到第一导电层和第二导电层，并且至少端部的一部分形成在接触孔内侧的第三导电层。在第二导电层和第三导电层彼此连接的接触孔附近，第三导电层不中间夹着第一绝缘层重叠于第二导电层，所以第三导电层的端部不形成在第一绝缘层上。因此，可以减少第三导电层的凹凸。