公开(公告)号：CN102237309B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201010167004.0

申请日：2010-05-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  田晓鹏

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法。该工艺集成的方法中，采用对铜引线上的盖帽层中的锰金属先硅化形成MnSi化合物层、在对该MnSi化合物层氧化以形成MnSixOy存储介质层，并且采用锰硅氧化合物层作为铜互连后端中铜引线的阻挡层。该方法具有易于与45纳米或者45纳米工艺节点以下铜互连后端工艺兼容的优点，氧化锰基电阻型存储器制备成本低，并且可靠性高、功耗低。

公开(公告)号：CN103021950A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110280422.5

申请日：2011-09-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  刘易

IPC: H01L21/8247

Abstract: 本发明属嵌入式存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法。该方法中，包括步骤：完成伪栅制备后构图形成选通管以及编程管的源极和漏极；通过自对准工艺形成金属硅化物接触，并去除伪栅和牺牲层；构图淀积形成编程管的栅极部分；构图淀积形成选通管的栅极部分；形成层间介质以及钨栓塞；以及形成铜互连后端结构中的铜引线和铜通孔。本发明方法易于与CMOS铜互连前端工艺兼容，相对简单、成本低廉，所制备的嵌入式存储器尤其适用于一次性编程器件或多次编程器件。

公开(公告)号：CN101826595B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200910046977.6

申请日：2009-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。

公开(公告)号：CN102867540A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110186888.9

申请日：2011-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  李慧

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/407 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。本发明中提供了多端口，多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道。本发明提供了一种90nm及以下节点多沟道嵌入式动态随机存储器的一种解决方案，可以明显改善器件的操作窗口、数据保持特性、正确率、可靠性等存储特性。

公开(公告)号：CN102820425A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110154094.4

申请日：2011-06-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  田晓鹏

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。

公开(公告)号：CN102810632A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110146823.1

申请日：2011-06-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  田晓鹏

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，涉及一种并联电阻型存储器及其制备方法。所述的并联电阻型存储器，包括若干存储块，每个存储块由一个晶体管与若干并联存储单元串联构成，其中，并联存储单元由具有整流特性的器件与具有阻变特性的器件构成。本发明解决了1T1R结构无法达到NAND Flash存储密度的情况，及交叉点存储阵列漏电流大的问题；所述的制备方法能有效的提高存储密度，解决漏电流大的问题。本发明中的二极管由多晶硅制成，其与于氧化物二极管相比，具有较好的整流特性，同时所述的多晶硅二极管采用脉冲激光退火的方式，避免了高温处理对存储器产生的影响。

公开(公告)号：CN102737725A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110092561.5

申请日：2011-04-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  严冰

IPC: G11C29/56

Abstract: 一种自动优化存储器性能的可编程内建自测系统的内建自测系统和方法，所述方法包括以下步骤：在一种测试工作方案下对存储器进行测试，故障计数与暂存模块（110）记录在此过程中检测到的故障数量；改变测试工作方案，重复上述操作；当遍历所有的方案后，通过工作方案比较与确定模块（111）比较各种工作方案并确定最优的方案作为存储器的测试工作方案。

公开(公告)号：CN102544354A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010262424.7

申请日：2010-08-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法。该存储器包括铜引线下电极、CuxO存储介质层、上电极；其中，铜引线包括覆盖于电镀铜之上的第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层，CuxO存储介质层氧化形成于第一铜籽晶层上。其制备方法包括：提供铜互连后端结构的铜引线；在铜引线上构图依次形成第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层；对铜籽晶层构图氧化形成CuxO存储介质层；在CuxO存储介质层上形成上电极。其中，1＜x≤2。该CuxO电阻型存储器是对铜籽晶层氧化形成，存储特性得以大大提高，尤其是在均匀性方面和薄膜品质的可控性方面。

公开(公告)号：CN102544012A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010592942.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  李慧

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/401

Abstract: 本发明提供一种MOS结构的存储单元、阵列、存储器及其操作方法，属于嵌入式存储器技术领域。该存储单元包括其包括源极、漏极和栅极的MOS晶体管结构，所述MOS晶体管结构的栅介质层为具有阻变存储特性的栅存储介质层。该存储阵列包括多个按行和列排列的该存储单元，该存储器包括该存储阵列。该发明突破性地在MOS晶体管的栅介质层上应用具有阻变存储特性的材料，在使其具有多次可编程存储、非挥发存储特性的同时，其易集成于前端结构中，并易于与32nm高kCMOS逻辑工艺前端兼容。另外，读写操作简单，尤其适合于嵌入式非挥发存储应用。

公开(公告)号：CN101110393B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1