-
公开(公告)号：CN101582418A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810111710.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光LED。该白光LED通过控制各对电极之间的电流、电压的大小来调节蓝光、绿光和红光有源层的发光强度，从而得到各种色度的白光。这相当于在单一芯片有三个各自独立的光源，以电注入调控三基色发出白色光。该器件的电路简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率，将在白光照明、全色显示和光调控领域中发挥重要的作用。
-
公开(公告)号：CN100555690C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710119158.0
申请日：2007-07-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin-LED)，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的ITO磁性层、N型欧姆接触电极。该GaN基Spin-LED是将ITO基磁性材料作为自旋注入源和现有GaN基LED照明技术结合起来制备的，相对于目前提出的GaMnN基Spin-LED的多项生长技术结合的繁琐制备程序，该方法将磁性层改在透明电极部分，制备方法简单易行，可灵活快捷地得到各种新型自旋发光二极管，并能有效地进行自旋注入效率的探测，同时还可望用于研制和设计其他各种自旋电子学器件。
-
公开(公告)号：CN101556914A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810103523.3
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。本发明制得的GaN外延薄膜衬底的力学支撑仍然由单晶蓝宝石提供，其可以有足够的力学稳定性而作为衬底使用在后继工艺中。且该准悬浮GaN薄膜衬底的外延应力小、缺陷密度少。
-
公开(公告)号：CN101383480A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
-
公开(公告)号：CN101345281A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042186.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5－50微米，再用磷酸(温度为100－220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N－GAN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3－40微米，采用SC－2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N－GAN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30％以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100435281C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610001301.1
申请日：2006-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L43/12 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/00
Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。
-
公开(公告)号：CN101281948A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105178.7
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；所述蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在上述有机聚合物上形成光子晶格结构；从上述带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至所述蓝宝石衬底与所述非掺杂的GaN层分离，同时，所述非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管，可产业化应用。
-
公开(公告)号：CN101257080A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810101681.5
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
-
公开(公告)号：CN1822320A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001301.1
申请日：2006-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L43/12 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/00
Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。
-
公开(公告)号：CN1779900A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009840.0
申请日：2004-11-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
417
records
(took 0.028 seconds)
