公开(公告)号：CN101350385A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200710119158.0

申请日：2007-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  杨学林 ,  陈志涛 ,  于彤军 ,  杨志坚

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin－LED)，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的ITO磁性层、N型欧姆接触电极。该GaN基Spin－LED是将ITO基磁性材料作为自旋注入源和现有GaN基LED照明技术结合起来制备的，相对于目前提出的GaMnN基Spin－LED的多项生长技术结合的繁琐制备程序，该方法将磁性层改在透明电极部分，制备方法简单易行，可灵活快捷地得到各种新型自旋发光二极管，并能有效地进行自旋注入效率的探测，同时还可望用于研制和设计其他各种自旋电子学器件。

公开(公告)号：CN100555690C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710119158.0

申请日：2007-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  杨学林 ,  陈志涛 ,  于彤军 ,  杨志坚

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin-LED)，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的ITO磁性层、N型欧姆接触电极。该GaN基Spin-LED是将ITO基磁性材料作为自旋注入源和现有GaN基LED照明技术结合起来制备的，相对于目前提出的GaMnN基Spin-LED的多项生长技术结合的繁琐制备程序，该方法将磁性层改在透明电极部分，制备方法简单易行，可灵活快捷地得到各种新型自旋发光二极管，并能有效地进行自旋注入效率的探测，同时还可望用于研制和设计其他各种自旋电子学器件。

公开(公告)号：CN100435281C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610001301.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志涛 ,  苏月永 ,  杨志坚 ,  杨学林 ,  沈波

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。

公开(公告)号：CN1822320A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610001301.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志涛 ,  苏月永 ,  杨志坚 ,  杨学林 ,  沈波

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。