公开(公告)号：CN101383480B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710121505.3

申请日：2007-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 李睿 ,  胡晓东 ,  徐科 ,  代涛 ,  陈伟华 ,  胡成余 ,  包魁 ,  王彦杰 ,  张国义

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。

公开(公告)号：CN101383480A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710121505.3

申请日：2007-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 李睿 ,  胡晓东 ,  徐科 ,  代涛 ,  陈伟华 ,  胡成余 ,  包魁 ,  王彦杰 ,  张国义

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。

公开(公告)号：CN101335204B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710123092.2

申请日：2007-06-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王彦杰 ,  胡晓东 ,  胡成余 ,  张国义

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10-5托后，用氟等离子体对样品表面处理。本发明可解除p型氮化镓的Mg-H键，除去氧化层，提高p型氮化镓表面空穴浓度，降低接触电阻的作用；同时，由于采用了干法处理，避免了湿法处理带来的弊端。本发明有效地改善了p型氮化镓的电学性能。

公开(公告)号：CN101335204A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710123092.2

申请日：2007-06-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王彦杰 ,  胡晓东 ,  胡成余 ,  张国义

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10－5托后，用氟等离子体对样品表面处理。本发明可解除p型氮化镓的Mg－H键，除去氧化层，提高p型氮化镓表面空穴浓度，降低接触电阻的作用；同时，由于采用了干法处理，避免了湿法处理带来的弊端。本发明有效地改善了p型氮化镓的电学性能。