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公开(公告)号：CN101083162A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610127448.5
申请日：2006-09-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电调制改变异质结构薄膜样品电阻的实现方法，即将导电电阻薄膜设置在低电阻的半导体衬底上，通过施加并调制垂直于半导体和导电电阻薄膜之间界面的电压，改变导电电阻薄膜的水平方向电阻值。本发明还提供一种电调制改变电阻的器件，包括导电电阻薄膜，导电电阻薄膜设置在半导体衬底上，在导电电阻薄膜上设置两个水平电极，在半导体衬底上设置第三个电极，在半导体衬底和导电电阻薄膜之间设置调整电路。本发明在电子器件以及磁电子器件方面可有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101794960B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010300508.5
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京大学
Inventor： 连贵君
Abstract: 本发明提供了一种调谐准分子激光器腔体光路准直的方法，属于准分子激光器设备技术领域。该方法采用一带有光源和十字图形的调光靶，将调光靶置于准分子激光器的前反射镜一端，分别调整准分子激光器腔体前、后两个反射镜位置，使所述调光靶的十字图形在腔体前、后两个反射镜的成像相互重合及其衍射像对称，从而实现准分子激光器腔体光路准直。本发明操作简单，不需要占用准分子激光器空间，且调谐后的激光器腔体光路可达到最高能量值，不必再用能量标准进行调整。
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公开(公告)号：CN101231317A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710002678.3
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：(1)在异质界面的上层材料和下层材料上分别设置若干个电接点；(2)分别在异质界面的上层材料或下层材料上通电流；(3)通过测量上层材料和下层材料的随电流改变的电压变化，分别得到异质界面上层材料和下层材料的电势分布；(4)根据异质界面上层材料和下层材料的电势分布，确定界面的电学特性。利用本发明提供的方法可以制备相应的实验仪器，用于异质界面(包括多种不同材料以及由半导体材料组成的微电子器件异质界面)研究，也可以利用本发明设计新器件。
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公开(公告)号：CN101794960A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010300508.5
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京大学
Inventor： 连贵君
Abstract: 本发明提供了一种调谐准分子激光器腔体光路准直的方法，属于准分子激光器设备技术领域。该方法采用一带有光源和十字图形的调光靶，将调光靶置于准分子激光器的前反射镜一端，分别调整准分子激光器腔体前、后两个反射镜位置，使所述调光靶的十字图形在腔体前、后两个反射镜的成像相互重合及其衍射像对称，从而实现准分子激光器腔体光路准直。本发明操作简单，不需要占用准分子激光器空间，且调谐后的激光器腔体光路可达到最高能量值，不必再用能量标准进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101231317B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710002678.3
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：(1)在异质界面的上层材料和下层材料上分别设置若干个电接点；(2)分别在异质界面的上层材料或下层材料上通电流；(3)通过测量上层材料和下层材料的随电流改变的电压变化，分别得到异质界面上层材料和下层材料的电势分布；(4)根据异质界面上层材料和下层材料的电势分布，确定界面的电学特性。利用本发明提供的方法可以制备相应的实验仪器，用于异质界面(包括多种不同材料以及由半导体材料组成的微电子器件异质界面)研究，也可以利用本发明设计新器件。
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公开(公告)号：CN101436546A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810239606.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/465 , H01L39/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种利用电学调整改变氧化物材料物理性质的方法。该方法包括：选择弱导电氧化物材料作为待改变氧化物材料，该氧化物材料的电阻率在1x10－4至1x109Ω.cm范围内；在待改变氧化物材料的一侧或两侧沉积氧化物绝缘薄膜，使之形成氧化物绝缘势垒结器件，或待改变氧化物材料连接一氧化物半导体材料形成氧化物半导体势垒结器件；对氧化物绝缘势垒结器件或氧化物半导体势垒结器件施加一电压，电压值为1V至700V或负0.1V至负50V，致使待改变氧化物材料的物理性质得到改变。本发明不同于传统的依赖化学工业技术的材料开发，不仅可以用于发现新材料，而且也可以作为新型电子器件的原型，用于构造新型电路。
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公开(公告)号：CN101556914B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810103523.3
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。本发明制得的GaN外延薄膜衬底的力学支撑仍然由单晶蓝宝石提供，其可以有足够的力学稳定性而作为衬底使用在后继工艺中。且该准悬浮GaN薄膜衬底的外延应力小、缺陷密度少。
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公开(公告)号：CN101556914A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810103523.3
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。本发明制得的GaN外延薄膜衬底的力学支撑仍然由单晶蓝宝石提供，其可以有足够的力学稳定性而作为衬底使用在后继工艺中。且该准悬浮GaN薄膜衬底的外延应力小、缺陷密度少。
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