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公开(公告)号：CN119880992A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510155240.7
申请日：2025-02-12
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种激光烧蚀行为测试系统，包括壳体、样品装载组件、激光发生组件以及测试组件，壳体形成有密闭的腔体，样品装载组件内置于壳体，并具有至少一个用于装载样品的装载位，激光发生组件的激光发射端朝向装载位设置，测试组件包括气体检测件、视频采集件及温度检测件，气体检测件的采集端与腔体的内部相连通，视频采集件的采集端朝向装载位设置，温度检测件连接于壳体，用于检测装载位的温度。本发明能有效的解决因烧蚀测试装置仅具有单一的功能性测试，从而导致难以满足高精度实验需求的问题。
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公开(公告)号：CN118930279B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411218058.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提出了一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法，属于电子封装陶瓷材料领域，在氮化铝陶瓷烧结过程中以氮化铝为原料，加入氢化铒及氧化钇作为复合助剂进行烧结，所述氢化铒粉末及氧化钇粉末按照质量百分比均为烧结所需混合物料的总质量1wt％～5wt％，余量为氮化铝粉末。本发明采用稀土氢化物作为烧结助剂，氢化物分解产生的稀土元素单质可以结合氧化铝中的氧元素，产生的稀土氧化物可以继续与氧化铝反应，稀土氢化物有双重除氧作用，避免氧进入氮化铝晶格形成缺陷，可以有效提高热导率；以氢化铒及氧化钇作为复合烧结助剂可以降低生成铝酸盐液相的共晶线，使液相出现在更低的温度，促进样品的致密度。
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公开(公告)号：CN118996393A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411139167.6
申请日：2024-08-20
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/34 , C23C16/32 , C23C16/02
Abstract: 本发明提出了一种具有钽钛互嵌结构的异质碳化物或氮化物涂层的制备方法，包括以下步骤：S1，在钽基片的表面间隔开设多条沟槽，随后在沟槽内铺设钛粉，钛粉高出沟槽顶部1.5‑2.5mm，预压钛粉使其与钽基片表面齐平，随后放入真空热压烧结炉内烧结得到钽钛互嵌结构的基片；S2，将钽钛互嵌结构的基片置于气相沉积设备的反应腔内，真空环境下通入氢气轰击基片，去除表面杂质；S3，通入含有碳源或氮源以及氢气的混合气体，进行碳化或氮化沉积得到互嵌结构的异质碳化物或氮化物梯度涂层。本发明利用金属基体之间相互嵌入的耦合形式，有效解决了钽钛金属层状结构存在的固有结构缺陷和性能限制，克服了表面单一组元碳/氮化物层综合防护性能不能兼具的技术问题。
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公开(公告)号：CN118610161A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410911694.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 , 武汉理工大学 , 武汉工程大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/04
Abstract: 本发明公开了一种铜互连集成电路的扩散阻挡层及其制备方法，提出新型非晶夹结晶三层结构扩散阻挡层，首先在Si或low‑K衬底上沉积一层非晶态二元合金层，其次在非晶态合金层上沉积结晶态合金层，最后在结晶态合金层上再沉积一层非晶态合金层，进而制备成三层结构的扩散阻挡层。本发明的一种铜互连集成电路的扩散阻挡层采用二元合金构建，相较于传统的氮化物陶瓷阻挡层来说与Cu的热膨胀系数更适配，且粘附性好，结合力强，无需再沉积金属粘附层；其制备方法采用双靶磁控溅射系统沉积扩散阻挡层，只需要调控双靶的溅射功率调控溅射元素的成分比以制备不同结晶形态的二元合金薄膜，沉积过程无需对系统中的原料进行更换调整，工艺简单，操作便捷。
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公开(公告)号：CN118374767A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410609892.9
申请日：2024-05-16
Applicant: 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 , 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于大长径比管材的磁控溅射装置及其镀膜方法。磁控溅射装置包括管材、电动滑轨、键钮、进气管道、环形靶系统、滑轨传动装置以及真空系统：管材具有腔体；电动滑轨位于腔体内，开设有多个通孔；键钮填充于通孔中；进气管道与电动滑轨内连通；环形靶系统与电动滑轨滑动连接；滑轨传动装置位于管材的一端与电动滑轨传动连接；真空系统位于管材的另一端。本申请实施例通过在电动滑轨上设置键钮填充通孔，环形靶系统按压键钮即时连通并释放气体，其他键钮保持密封，提高了不同区域气体浓度的均匀性，解决了镀膜均匀性、稳定性不足的问题；设备结构简单，各系统之间相互独立，仪器的维修和查错方便。
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公开(公告)号：CN118268575A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410565624.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及难熔金属多主元合金领域，尤其涉及一种难熔金属多主元合金粉体的制备方法。本发明利用氢致开裂使难熔金属高熵合金块体在退火过程中产生分布较为均匀的高密度裂纹，使难熔金属高熵合金块体逐渐破碎成粉体本发明能获得具有单一物相或多种物相组合而成的难熔多主元合金粉体，物相与原合金接近一致，且元素分布均匀；本发明在制备粉体时，退火过程无需借助机械力量的施加，也无需提前将块体碾磨成为块体，仅需借助氢致开裂的原理，使块体变为均匀粉体，可简化制备流程、避免引入杂质；本发明的制备工艺简单、合成周期短，适用于大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN117051304A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311080095.8
申请日：2023-08-25
Applicant: 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 , 武汉理工大学 , 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高强韧铸态多主元合金及其制备方法，所述多主元合金由元素Al、Mo、Ta、Nb、Ti、Zr与Cr组成，通过备料、制备CrAl合金以及制备多主元合金等步骤，最终制得成分为Al0.5Mo0.5NbTa0.5TiZrCrx的高强韧铸态多主元合金。本发明的一种高强韧铸态多主元合金及其制备方法通过添加Cr的方法改善Al0.5Mo0.5NbTa0.5TiZr多主元合金的性能，Cr与原始合金Al0.5Mo0.5NbTa0.5TiZr具有同样的体心立方结构，且与其它组成元素相比，Cr具有原子半径较小、密度较低的特点，其能有效固溶至原有多主元合金晶格之中，降低原有体系的价电子浓度，从而提升其强度、硬度和极限应变，并降低其密度，实现轻质高强高韧，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN116904916A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310750838.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法，包括：S1.原料准备：以高硅铁硅合金为硅源，以低硅硅钢片为基片，以Ag为介质；S2.将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶，将扩散偶于1100～1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化，在硅源与基片之间形成液态Ag介质，渗硅一定时间，得到高硅硅钢片。本发明以低硅硅钢片作为基片，在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质，通过高温扩散渗硅的过程，在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度，可以提高基片表面Si含量，还能控制液相介质中的渗硅速率。
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公开(公告)号：CN116589286A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310654590.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/645 , C04B35/581 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用乙酰丙酮钇作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷的方法，乙酰丙酮钇粉末与有机溶剂混合并加热后，加入一定质量比的氮化铝粉末，然后进行混合并球磨，得到混合粉末；所得混合粉末进行等离子活化烧结，得到氮化铝陶瓷块体材料。本发明开发了乙酰丙酮钇作为氮化铝烧结助剂的新用途，将其作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷有效解决了氮化铝粉体烧结中因氧杂质含量较高导致热导率降低的问题。
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公开(公告)号：CN116103610A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211672173.9
申请日：2022-12-26
Applicant: 武汉理工大学 , 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 , 广东翔鹭钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高温稳定TiAlN梯度硬质涂层材料及其制备方法，所述TiAlN梯度硬质涂层材料从底部到表面Al含量均匀连续梯度增加，Ti含量均匀连续梯度减少。本发明提供的TiAlN梯度硬质涂层材料具有优异的高温稳定性能，结合力强，硬度高，能够延长刀具使用寿命，满足现代机械加工高效率、高精度、高可靠性的要求。
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