公开(公告)号：CN118930279B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411218058.3

申请日：2024-09-02

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 徐志刚 ,  何开平 ,  王传彬 ,  彭健 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提出了一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法，属于电子封装陶瓷材料领域，在氮化铝陶瓷烧结过程中以氮化铝为原料，加入氢化铒及氧化钇作为复合助剂进行烧结，所述氢化铒粉末及氧化钇粉末按照质量百分比均为烧结所需混合物料的总质量1wt％～5wt％，余量为氮化铝粉末。本发明采用稀土氢化物作为烧结助剂，氢化物分解产生的稀土元素单质可以结合氧化铝中的氧元素，产生的稀土氧化物可以继续与氧化铝反应，稀土氢化物有双重除氧作用，避免氧进入氮化铝晶格形成缺陷，可以有效提高热导率；以氢化铒及氧化钇作为复合烧结助剂可以降低生成铝酸盐液相的共晶线，使液相出现在更低的温度，促进样品的致密度。

公开(公告)号：CN119874381A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411949386.0

申请日：2024-12-27

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 徐志刚 ,  何开平 ,  薛磊 ,  王传彬 ,  彭健 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化铝陶瓷及其制备方法和应用，该氮化铝陶瓷，包括氮化铝混料和金刚石，氮化铝混料包括氮化铝和氧化钇，其中，氮化铝混料和金刚石的质量比为(12～18):(1.6～4)，氧化钇的质量含量为氮化铝混料总质量的1％～5％。本发明提供的氮化铝陶瓷，在特定的含量占比下，利用氧化钇和金刚石同时作为烧结添加剂，一方面利用氧化钇与氧化铝反应生成钇铝酸盐液相，达到促进样品的致密化，净化氮化铝晶格，提高热导率的目的；另一方面利用金刚石改善氧化钇与氧化铝反应生成的二次相问题，同时金刚石自身具有极高的热导率、良好的绝缘性与力学性能，可进一步提升陶瓷制品的整体性能。

公开(公告)号：CN118930279A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411218058.3

申请日：2024-09-02

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 徐志刚 ,  何开平 ,  王传彬 ,  彭健 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提出了一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法，属于电子封装陶瓷材料领域，在氮化铝陶瓷烧结过程中以氮化铝为原料，加入氢化铒及氧化钇作为复合助剂进行烧结，所述氢化铒粉末及氧化钇粉末按照质量百分比均为烧结所需混合物料的总质量1wt％～5wt％，余量为氮化铝粉末。本发明采用稀土氢化物作为烧结助剂，氢化物分解产生的稀土元素单质可以结合氧化铝中的氧元素，产生的稀土氧化物可以继续与氧化铝反应，稀土氢化物有双重除氧作用，避免氧进入氮化铝晶格形成缺陷，可以有效提高热导率；以氢化铒及氧化钇作为复合烧结助剂可以降低生成铝酸盐液相的共晶线，使液相出现在更低的温度，促进样品的致密度。